摘要：零维模型负载优化设计制作的单层和双层铝丝阵负载,在俄罗斯S-300强流发生器上,利用"狭缝+闪烁体+光电探测器"X光功率测量系统对X光辐射特性参数进行了诊断。实验获得单层丝阵负载的辐射功率为(0.31±0.19)TW,辐射总能量为(16.93±7.45)kJ,脉宽为(18.41±5.00)ns;双层丝阵负载的辐射功率为(0.37±0.12)TW,辐射总能量为(16.40±3.99)kJ,脉宽为(13.45±3.50)ns。实验结果表明,双层丝阵负载辐射功率高于单层19.4%,信号脉宽窄4.96 ns。

摘要：介绍了磁探针测量等离子体电流的设计原理,针对Z箍缩实验负载的实际结构特点和现场布局,制作出应用于诊断脉冲功率装置Z箍缩实验负载通过电流的微型磁探针,并通过建立相同结构尺寸的模拟负载装置的方法,实现了对其灵敏度的标定。实验结果显示:在脉冲功率装置峰值电流1.2MA、电流上升时间60ns时,由微型磁探针测得的负载电流与加速器监测电流存在12%的幅度差异,电流峰值时刻存在5ns的差异,说明微型磁探针技术测量Z箍缩负载电流的结果是可靠的。

摘要：介绍了根据"阳"加速器现场环境设计Thomson散射诊断系统的方法和思路。由本底辐射出发,研究了诊断系统的重要参数,如探针光的能量、脉宽以及各光学元件的参数;同时,给出探针光和收光系统光路的设计安排;最后,讨论了杂散光及噪声的来源,并给出抑制或降低其影响的方法。

摘要：采用球面云母晶体,在特定的几何布局下,通过选择适当的设计参数,在1.3 MA脉冲功率装置上获得了Lyα线表征的Z箍缩铝丝阵等离子体K壳层辐射时间积分2维分布。与通常采用的带滤片卡域的时间积分针孔成像相比,避免了由于无法将测量能段准确设定在K壳层辐射谱线所在能区,而造成测量结果偏离真实的K壳层辐射分布的缺点,为模拟计算Z箍缩等离子体辐射输运程序提供了更为精确的校验参数。

摘要：根据BaF_2晶体闪烁光快、慢成分波段的不同,设计并制备了用于抑制该晶体闪烁光慢成分的AL_2O_3/MgF_2/Al/MgF_2…金属-介质选择吸收膜系.透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱的实验结果显示,所研制的选择吸收膜系达到了预期的要求,BaF_2晶体闪烁光快、慢成分比提高了80倍以上,有效地提高了BaF_2闪烁晶体在高计数率测量中的应用价值.

摘要：设计和实验研制了用于脉冲中子源中子产额绝对测量的阵列BF3 计数器,并在加速器上进行了DT中子灵敏度标定实验。给出了该计数器测量DT脉冲中子产额的测量结果和测量不确定度,并与其它测量方法的测量结果进行了比较。实验验证了BF3 设计的可行性和DT脉冲中子产额测量数据的可靠性。

摘要：为了获得填充泡沫的钨丝阵动态黑腔动力学演化图像,研究钨等离子体与泡沫柱的相互作用形式,在1MA脉冲功率装置上设计了四分幅紫外探针光(266nm)阴影成像系统,该系统时间分辨为2.5ns,静态空间分辨优于70μm,径向阴影图像展示了从固体丝膨胀消融到先驱等离子体与泡沫相互作用,从泡沫的箍缩到反弹膨胀的全过程.图像显示了在长约50ns时间内丝等离子体以"雨"的形式持续与泡沫相互作用,在整个箍缩阶段并未观察到等离子体壳层结构.定量分析表明泡沫柱的最小箍缩速度为1.0×106cm/s,最大箍缩速度为6.0×106cm/s,在轴上滞止的直径约为1mm.通过对数值模拟计算结果的讨论,明确了在Z箍缩等离子体状态下阴影成像结果主要反映了逆轫致吸收效应,与径向功率波形的时间关联给出了钨等离子体主体与泡沫柱相互作用时刻的图像.

摘要：在丝阵负载Z箍缩实验中实施了电流加载前真空下负载初始状态的监测,并分别采用新旧结构的电极进行了对比性实验研究,利用十分幅纳秒分幅相机成功获取了不同内爆阶段的实验图像。通过对实验结果的分析,讨论了电极结构和负载初始状态对实验结果的影响程度。实验结果表明:采用新装配方式的负载电极结构具有安装时间短、同轴性容易控制、负载现场安装就位精度高等优点;新研制电极和实施真空下负载状态的检测,有效减少了实验数据分散性,为实验负载参数优化设计提供了技术支持。

摘要：采用Nd-YAG激光器的四倍频激光(266nm)设计了激光探针分幅阴影成像系统,该系统具有时间分辨率和收光效率高,测量范围大,可有效屏蔽可见光干扰的优点,在钨丝阵实验中成功获得晚期内爆等离子体的分布图像.对系统结构和性能参数做了介绍,对测量结果进行了讨论.

摘要：根据BaF2晶体闪烁光快、慢成分波段的不同,设计并制备了用于抑制该晶体闪烁光慢成分的 Al2O3/MgF2/Al/MgF2…光子带隙膜系。实验结果显示:加载光子带隙膜系的BaF2晶体,其闪烁光快/慢成分 比提高80倍以上;经剂量为1×105Gy的60Coγ射线辐照后,其透射光谱、发射光谱和发光衰减时间谱没有明 显的变化,这表明由光子带隙膜系与BaF2晶体所构成的快闪烁器件不仅可有效避免慢成分的干扰,而且还具 有很强的抗γ辐射性能。