摘要：本文通过对ＦＦＴ计算流图的分析，得到了ＦＦＴ计算过程中连续参加蝶形运算的结点数据和三角常数ＷＮＫ的地址产生规律，并总结出逻辑表达式．在此基础上设计了一种新型的ＦＦＴ地址发生器．与传统设计方法相比，减少了晶体管数量，提高了速度，经逻辑模拟验证了设计上的正确性．由电路模拟可知，采用２μＣＭＯＳ工艺制作时，可达到５０ＭＨＺ的工作频率．

摘要：本文设计出一种用于雷达数字信号处理的动目标检测（ＭＴＤ）专用集成电路．该电路采用有限冲激响应（ＦＩＲ）滤波器结构，并配以乒乓存储器及流水线乘法器，具有运算速度快、结构简单等优点．经逻辑和电路模拟，证明该电路具有良好性能．

摘要：小波变换是信号分析和处理中的重要方法．本文设计了一种实现小波变换的集成电路．它充分利用了算法本身的特点，采用电路复用的方法，节省了电路单元的需要量，并且，采用并行和流水线的电路结构，使得工作速度较快．平均每个时钟周期内输出一个小波变换结果．时钟的频率由加法器延时决定．电路得到了ＶＨＤＬ（硬件描述语言）的模拟和验证．

摘要：本文描述了两种结构的BiCMOS比较器宏单元的设计和制造.制成的五种比较器均达到了设计要求:静态功耗小于5mW,灵敏度优于5mV,模拟得到最高采样时钟频率为60MHz.(C_L=5pF).在与同类全 CMOS比较器比较中充分显示了 BiCMOS结构的优越性.

摘要：硬件资源分配是数字系统硬件自动综合中的关键技术之一．本文提出了一个基于最佳匹配理论的资源分配算法（ＯＭＲＡ）．其特点①三类硬件资源（功能单元、存储单元和互联资源）的分配同时进行，从而便于资源间的统筹考虑以获得硬件资源总开销最小的设计方案．②对工艺变化具备适应能力：工艺资源库发生变化，资源分配过程中将自动调整以保证产生在新的工艺环境下最佳的硬件结构设计．

摘要：本文描述了一种可用于集成系统的高速BiCMOS技术。采用双埋层、双阱和外延结构,应用2μm设计规则,成功地将NPN器件和CMOS器件制作在同一芯片上。得到了满意的单管性能。在大负载条件下,BiCMOS反相器门的速度比普通CMOS反相器门快得多。

摘要：在 CMOS工艺结构中,将位于阱中的 MOS 器件加适当的偏置,可以使其变为体内器件、以横向双极管的模式工作.本文利用 3μm P-well和 2μm N-well两种 CMOS工艺设计了这种横向双极器件,分析讨论了这种器件的工作原理和特点,并给出其典型的直流和交流参数的实验数据.这些分析和实验数据将有助于电路设计者了解和掌握该器件的电流、频率工作范围及特性,以便在CMOS电路中充分发挥其特长.

摘要：本文在分析了SPICE II-MOS2,MOS3模型中所存在的问题之后,重新建立了一个实用于电路模拟的微米级MOSFET解析模型──MOS5模型(本文仅限于介绍其开启电压模型部分).经实验证明,此模型适用于对不同工艺制得的各种尺寸增强型MOS管的开启电压模拟(L_(eff)≥1.0μm).与原SPICEII-MOS2,MOS3模型相比,此新模型具有参数简单易得、物理意义明确、以工艺参数为主等特点.此模型现已装入SPICE II程序中,达到了实用的目的,并可对VLSI设计与制造起一定的指导作用.

摘要：本文描述一种专用于汉字字符发生器的1Mbit ROM的设计。文中对各部分电路设计作了详细的分析,指出设计中的特点。对研制成功的样品进行交、直流特性测试,结果表明电路性能完全达到设计和使用的要求。

摘要：本文提出了一种适用于CMOS工艺中横向双极型晶体管直流特性计算的新方法。新方法采用解析形式计算电流I_c,所需模型参数均保留明确的物理意义,不用数值和曲线拟合参数的方法就能得到处于任何注入水平的本征收集极电流I_c和跨导g_(??)。该方法为在设计高精度的CMOS模拟IC中利用横向双极器件提供了良好的CAD器件模型。模型值和实验值呈现良好的一致性。