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先进CMOS制造工艺的技术演进及自主发展思考: 收藏
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引用; 《前瞻科技》2022年第3期1卷 52-60页; 作者：张卫徐敏陈鲲刘桃杨静雯孙新黄自强汪大伟吴春蕾王晨徐赛生复旦大学微电子学院上海200433 上海集成电路制造创新中心有限公司上海200120; 信息社会的迅猛发展极大推动了对高性能计算的需求。而先进互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺是制造高性能计算芯片的保障,因此成为世界顶尖设计公司和芯片制造企业竞争的技术高地。文章概述了鳍式场效应晶体管(FinFET)之后技术演进...; 信息社会的迅猛发展极大推动了对高性能计算的需求。而先进互补金属氧化物半导体(CMOS)制造工艺是制造高性能计算芯片的保障,因此成为世界顶尖设计公司和芯片制造企业竞争的技术高地。文章概述了鳍式场效应晶体管(FinFET)之后技术演进到环栅场效应晶体管(GAAFET)的必然性,以及在工艺模块、系统集成和工艺无损表征上带来的挑战。在先进CMOS制造工艺技术的创新上,需要有从器件开发到系统设计的思维转变;设计工艺协同优化(DTCO)将会发挥越来越重要的作用。面向未来国产先进的CMOS制造工艺的发展,在技术开发和人才培养方面提出了发展建议和举措。; 来源：详细信息评论

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