摘要：报道一种能够实现时间延迟积分(TDI)功能的单元CMOS读出电路．具有戽链器件(BBD)结构，其输入级为电容反馈互阻抗放大器(CTIA)。介绍了读出电路的设计．并对该电路进行了功能仿真和流片验证。该芯片采用0．6μm双层多晶硅双层金属CMOS工艺。测试结果表明，在常温下，本电路能够实现9级TDI功能，电荷处理能力为2．5pC，工作电压5V。最后讨论了电路存在的一些问题以及下一步努力的方向。

摘要：在混合式焦平面阵列中,探测器和读出电路的耦合通过输入级电路实现。为分析输入电路对探测器-放大器系统性能的影响,用分立元件设计制作了一个三级的前置放大器并进行了模拟实验,实验表明放大器输入级噪声是造成探测器信噪比下降的主要因素,应用中应该选用具有特定噪声性能的放大器与探测器匹配。研究了焦平面中常用的直接注入(DI)和电容反馈放大电路(CTIA)与探测器耦合时在噪声、输入阻抗、工作点匹配等方面应具备的条件。提出了临界输入阻抗的概念,实验表明,当电路的输入阻抗低于此临界值时(对于GaN p!i!n光伏探测器来说约为106Ω),焦平面才能获得较高的注入效率。

摘要：轿车车身零件主要是冲压件，个数多达数百件，采用合理的落料排样工艺设计，可以提高生产效率和材料利用率，达到降低整车生产成本的要求。

摘要：介绍了一种汽车外覆盖件废料切断新工艺,包括改变传统废料工艺设计,降低下模废料切断刀高度,在修边完成废料下滑后先由挡料销暂存,下一个冲次将其切断排出模具外,达到自动化生产和提高制件表面质量的目的。

摘要：对汽车后盖总成变形的产生原因进行了分析,重点分析了造型、压合工艺、后盖外板材质硬度不足以及生产工艺等方面因素而引起的后盖总成变形,并从压合模工艺排布、设计、后盖外板材料选用以及生产工艺过程等角度提出了解决措施。这些改进措施可解决汽车生产中后盖总成变形问题,有利于提高产品质量。

摘要：左右前翼子板与发盖外板结合区域曲率比较小,用一般的整体式正向压料芯结构和分体式压料芯结构都难以解决制件变形或出现波浪缺陷等问题,采用正向压料芯+摆动压料芯的分体式技术,成功地解决了左右前翼子板制件不变形的难点。

摘要：报道了p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN应变量子阱结构的肖特基紫外探测器的制备及性能.器件的测试结果表明,在p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN双异质结中强烈的压电极化和Stark效应共同作用下使得器件在正偏和反偏时的响应光谱都向短波方向移动了10nm.零偏下器件在280nm时的峰值响应为0·022A/W,在反向偏压为1V时,峰值响应增加到0·19A/W,接近理论值.在正向偏压下器件则呈平带状态,并在283和355nm处分别出现了两个小峰.在考虑极化的情况下,通过器件中载流子浓度分布的变化解释了器件在不同偏压下的响应特性,发现p-GaN/Al0.35Ga0.65N/GaN中的极化效应对器件的响应特性影响很大,通过改变偏压和适当的优化设计可以使探测器在紫外波段进行选择性吸收.