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低损耗微波MEMS共平面波导在低阻硅上的实现
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《Journal of Semiconductors》2003年 第9期24卷 994-998页
作者:石艳玲 忻佩胜 邵丽 游淑珍 朱自强 赖宗声华东师范大学电子科学技术系上海200062 
在低阻硅衬底上采用常规CMOS工艺和后处理微机械加工技术实现了微波MEMS共平面波导 ,并与高阻硅基平面结构共平面波导特性进行了比较 .采用混合相似剖分有限元方法设计了一组不同特性阻抗值的传输线 ,并通过关键的混合腐蚀技术制备了 5...
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相位连续可调毫米波MEMS移相器的研制
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《华东师范大学学报(自然科学版)》2004年 第1期 49-55页
作者:郭方敏 朱守正 魏华征 郑莹 朱荣锦 忻佩胜 朱自强 赖宗声 杨根庆 陆卫华东师范大学信息科学技术学院上海 200062 中国科学院上海技术物理所红外物理国家重点实验室 华东师范大学信息科学技术学院 中国科学院上海微系统与信息技术研究所传感技术联合开放实验室 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 中国科学院上海技术物理所 
MEMS毫米波相移器是MEMS毫米波相控阵天线的关键部件之一,它的性能直接决定了毫米波相控阵天线的性能。该文介绍毫米波MEMS相移器的设计,研究低损耗衬底,Au,AlxSi1-x可动膜对下拉电压和传输损耗的影响,测试表明:21桥相位连续可调的分布...
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