摘要：基于TSMC0.18-μmCMOS工艺设计了一种具有恒定跨导的1.8Vrail-to-railCMOS运算放大器的输入级。采用两路结构相同的最大电流选择电路实现输入级总跨导的恒定。电路采用Hspice仿真,工作电压1.8V。输入级在强反型层工作时,电路的总跨导偏差在5%之内;弱反型层工作时,总跨导偏差在8%之内。

摘要：基于模拟乘法器设计了一种电流调节式中频可变增益放大器,并根据强反型下MOSFET的I-V模型(考虑二阶效应)建立和分析了电路非线性模型,提出了一种线性度优化方法.基于0.25μm CMOS工艺的模拟结果表明,电源电压3.3 V下可变增益放大器与优化前相比在输入信号最大时IM3减小了33 dB,增益控制范围增大了12 dB;最小增益处IIP3达到17.5 dBm,最大增益处噪声系数为7.8 dB.

摘要：通过对传统LDO频率补偿电路的零点、极点进行分析,提出了一种新颖的频率补偿技术。在原有频率补偿电路的基础上,增加一个电阻和电容以及一个PMOS管,构成新的补偿网络。此补偿网络产生一组零极点,且零点在带宽范围内,极点在带宽范围外。仿真结果显示,输出电流为100 mA时,相位裕度为87°;输出电流为1μA时,相位裕度为46°。电路设计基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,采用Hspice进行仿真,电路工作电压为1.8 V。

摘要：采用跨导线性化技术设计了一种具有指数增益特性的高线性中频可变增益放大器．该放大器由电流调节型可变增益单元、宽范围指数电压转换电路及固定增益放大器构成．基于0．25μm CMOS工艺的测试结果表明，放大器实现了8～48dB的增益连续变化，差分输出1V峰峰值下的三阶互调失真小于-60dBc，最大增益处噪声系数为8．7dB，50Ω负载下三阶输出截点为14．2dBm．

摘要：提出了一种新颖的宽范围CMOS可变增益放大器结构.利用可变跨导和新颖的可变输出电阻,基于单独可变增益级的放大器可提供80dB的宽范围调节.同时控制电路的设计完成了温度补偿及dB线性增益特性,实现在整个温度及增益调节范围内绝对增益误差小于±1.5dB.基于0.25μmCMOS工艺验证表明,放大器可提供64.5dB的增益变化范围,其中dB线性范围为55.6dB.输入1dB压缩点为-17.5到11.5dBm,3dB带宽为65MHz到860MHz,2.5V电源供电下功耗为16.5mW.

摘要：根据传统电流源结构,设计了一种启动电流为0的CMOS低功耗电流源。电流源的启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,电路正常工作后启动电路会自动关断。仿真结果显示电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为0,整个电路功耗24.9μW。这种结构降低了整个电路的功耗,大大节省了芯片面积。电路基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,电源电压1.8 V,仿真软件为Hspice。

摘要：基于TSMC0.18-μm CMOS工艺,根据传统电流源结构,设计了一种新颖启动方式的CMOS低功耗电流源。启动电路仅采用一个耗尽型MOS管,使电路正常工作后启动部分消耗的电流基本降为零。这种结构不仅降低了整个电路的功耗,而且大大节省芯片的面积。

摘要：根据函数(1+x)/(1-x),利用MOS晶体管工作在饱和区的平方律特性,设计了一种电压模式的CMOS伪指数功能电路.该指数电路由一对简单的背对背电流镜和一个电流模式的除法器构成.基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,3.3 V工作电压下的Hspice仿真结果显示电路的输出电压与输入电压之间成良好的指数关系即dB-线性关系.在dB-线性内,输出电压的动态范围为20 dB,误差在1 dB之内.

摘要：设计了一种高线性度的宽带CMOS全差分放大器,输入级采用带有电阻共模负反馈的差分电路,输出级则由推挽跨导运算放大器及其反馈环路组成.采用输入级源退化电阻及输出级负反馈技术,使得差分输出峰峰值为1V时三阶谐波失真达到-60dB.同时利用反馈环路中反馈电容的欠阻尼滞后补偿作用,使放大器的带宽增大了15%.测试结果表明,在0.25μmCMOS工艺下,该放大器-3dB带宽达到150MHz,噪声系数小于14dB.