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表面自由能对二维结晶的影响: 收藏
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引用; 《Science China Materials》2023年第4期66卷 1511-1517页; 作者：姚佳荣孙玲杰肖彦玲刘金雨揭建胜刘旭影杨方旭孙雅静李荣金胡文平Tianjin Key Laboratory of Molecular Optoelectronic SciencesDepartment of ChemistrySchool of ScienceTianjin University&Collaborative Innovation Center of Chemical Science and EngineeringTianjin 300072China Joint School of National University of Singapore and Tianjin UniversityInternational Campus of Tianjin UniversityFuzhou 350207China Institute of Functional Nano&Soft Materials(FUNSOM)Jiangsu Key Laboratory for Carbon-Based Functional Materials&DevicesSoochow UniversitySuzhou 215123China Beijing National Laboratory for Molecular SciencesKey Laboratory of Organic SolidsInstitute of ChemistryChinese Academy of SciencesBeijing 100190China School of Materials Science and EngineeringZhengzhou UniversityZhengzhou 450001China; 二维分子晶体是一类具有优异光电性能的新兴材料.然而,由于人们对决定二维结晶的因素知之甚少,二维分子晶体的生长极具挑战.我们研究了有机半导体的二维结晶和表面自由能之间的关系,提出了利用表面自由能各向异性因子来衡量二维结晶趋...; 二维分子晶体是一类具有优异光电性能的新兴材料.然而,由于人们对决定二维结晶的因素知之甚少,二维分子晶体的生长极具挑战.我们研究了有机半导体的二维结晶和表面自由能之间的关系,提出了利用表面自由能各向异性因子来衡量二维结晶趋势的设想.以两个BTBT衍生物为例,我们发现具有大的g因子的分子有不受外界条件干扰的二维结晶趋势.这项工作为合理设计可二维结晶的有机半导体提供了指导.; 来源：详细信息评论

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