摘要：基于CSMC 0.18μm BCD工艺,设计了一种具有可调折返限流功能且无须内部补偿的低压差线性稳压器(LDO)。为防止闩锁,设计了一个可通过外部单电阻调整折返点的限流结构。此外,为了降低LDO环路补偿的设计难度,设计了一种无须内部补偿的LDO环路。该设计的限流点为13.78 mA,短路电流为0.56 mA,在输入电压为3.4~42 V、输出电压为3V时,线性调整率不超过0.5 mV/V,且在轻载和重载情况下,相位裕度分别为89.7°和74.7°,1 kHz时电源抑制比为-65 dB。

摘要：基于2振动自由度的静电梳驱动折叠梁微机械滤波器振动模型,利用结构鲁棒设计思想,在指定耦合梁宽度等于振子折叠梁宽度的前提下,推导出了两个固有频率对微梁宽度工艺误差的灵敏度模型,得到了对工艺误差不敏感的梳状振子应满足的几何条件,将现有参考文献中仅适用于单个振动自由度微谐振器的结论推广到了多振动自由度微机械滤波系统。并以正方形作为振子基本形状,推导出了折叠梁宽度与补偿孔壁厚、补偿孔数量的重要关系。最后,给出了设计实例。所提出的方法对于其他类型的多自由度微机械振动系统设计也有重要的参考意义。

摘要：以内框驱动式双框架硅微型角振动机械陀螺仪为对象,建立了闭环力平衡控制模型,采用鲁棒H∞控制理论中的混合灵敏度法设计了鲁棒控制器。仿真结果表明,同开环微机械陀螺相比,通过合理选择加权函数设计出的鲁棒H∞控制器能使微机械陀螺对敏感轴固有频率摄动敏感性显著降低,微机械陀螺鲁棒性能显著提高。

摘要：正确预测挤压膜气体阻尼对于微机械谐振器件的设计是至关重要的。目前,当气压不太低时,已经有比较完善的连续介质模型能描述挤压膜气体阻尼。当气压很低时,气体连续介质模型不再适用,只能采用分子动力学方法。但是,当前关于自由分子区域中的微谐振器件挤压膜阻尼的分子动力学研究非常少,为了避免计算量过大,还未有三维的挤压膜阻尼分子动力学模型。提出一种高计算效率的三维分子动力学算法。该方法以气体分子速度分布函数生成每一分子的初始速度,通过分别单独计算每一气体分子在一个振动周期内与器件碰撞获得的动能增量,得到一个振动周期内气体分子总体动能增量,从而计算器件挤压膜阻尼。与已有的实验结果对比表明,该算法具有良好的精度,而且计算量是可以接受的。

摘要：在MEMS执行器的设计中,求出准确的Pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中,对于漏电场不能忽略的平行平板式静电微执行器,通常只能采用有限元法数值求解。但是,有限元法繁琐、费时而且不直观。平行平板电容器的漏电容解析模型通常有两种:一种简单的;一种详细的。基于这两种漏电容解析模型,分别导出了漏电场不能忽略的平行平板式微执行器的Pull-in失稳方程,并将求解结果与ANSYS耦合场分析结果做了对比。结果表明,基于详细漏电容模型的结果精度良好,而且相对误差不随着极板间距的增大而增大。基于简单漏电容模型的结果精度太低,尤其在极板间距较大时。

摘要：在MEMS执行器的设计中,求出准确的pull-in参数是至关重要的。在过去的研究中,在准静态假设下,电压控制的MEMS微执行器的pull-in模型已经被提出,并且还提出了一些拓宽微执行器稳定行程的方法。在动态条件下,电压控制的MEMS微执行器的pull-in模型也已经被提出。但是,还没有人研究如何提高微执行器动态稳定行程。采用串联电容的方法来拓宽MEMS执行器的动态稳定行程,提出了串联电容后的动态pull-in模型。最后,采用数值解法模拟了串联电容后的动态pull-in现象,并同时考虑了阻尼的影响。

摘要：在MEMS执行器的设计中,求出准确的Pull-in电压值是至关重要的。针对扭转式静电微执行器,采用串联电容方法来拓宽MEMS执行器的Pull-in行程,提出了相应的Pull-in模型,并给出了算例的数值结果。这些结果对扭转式静电微执行器的设计具有一定的参考价值。

摘要：与静电微执行器类似,磁微执行器中也存在重要的Pull-in失稳问题。但相对于静电微执行器详尽的模型相比,研究磁微执行器的文献很少。对于宏观器件,由于磁芯磁阻可以忽略,所以可利用电磁类比,得到Pull-in失稳参数。而对于微观器件,磁芯磁阻不可以忽略,不可利用电磁类比。基于小信号模型对衔铁平行运动的磁微执行器Pull-in的失稳现象首先进行了分析和建模,考虑了微磁芯磁阻,在建立磁微执行器动态小信号模型的基础上,分析发现衔铁平行运动的磁微执行器中不存在Pull-in现象。然后又采用能量法研究了同样的Pull-in失稳问题,得出了和力法相同的结论。最后,给出了一个分析实例,以反映微磁芯磁阻对Pull-in的影响,同时证实了衔铁平行运动的磁微执行器中不存在Pull-in现象的结论。结论对于磁微执行器的设计具有重要意义。

摘要：正确预测MEMS器件的挤压膜阻尼在器件的设计阶段具有非常重要的意义。提出了一个新的、考虑直流偏置电压引起静态变形的挤压膜阻尼模型。运用雷诺方程和弹性梁方程的耦合,将挤压膜间隙中的二维压力函数表示为长度方向的一维抛物线函数与宽度方向的一维余弦函数之积。由于模型考虑了直流偏置电压引起的静态变形的影响,有更广的应用范围。与实验结果的对比表明,模型有足够的精度。

摘要：Pull-in失稳问题是静电微执行器的关键问题之一。为了提高静电微执行器的Pull-in稳定行程,提出了一些方法,例如采用串联电容等。对于扭转式静电微执行器,提出通过改变驱动电极位置的方法来改变Pull-in位置与Pull-in电压,导出了驱动电极位置与Pull-in参数的计算模型。实例计算结果表明,改变电极位置可以使扭转式静电微执行器达到满行程。这些结果对于扭转式静电微执行器Pull-in位置的设计具有较好的参考价值。