摘要：针对传统光学位移测量方法对环境要求高和制造精度难以提高等问题,提出了一种以交变光场为测量媒介的新型线性位移检测方法。基于提出的方法,设计了一种光强正交调制型位移传感器。该方法采用基于光强正交变化的两路电驻波合成电行波信号,通过对行波信号时间先后的测量实现空间位移的测量。为了深入理解传感器的传感机理,推导了传感器的测量模型,分析了与传感机理相关的关键因素对测量误差的影响。根据测量原理和测量模型的理论分析,研制出传感器原理样机,通过实验测试了各种关键因素对测量误差的影响,并进一步优化设计了传感器结构与参数。实验显示,优化后的传感器在108mm测量范围内的测量精度达到±0.5μm,是一种新的无需精细刻划的位移检测方案。

摘要：针对传统线阵CCD测量方法仅适用于静态图像采集或低速位移测量的问题,在分析CCD动态测量过程中动态误差产生原因的基础上,提出一种驱动时序互相推延的多个CCD同步测量方法。该方法实现了在一个积分周期内的等时间多个位移值测量,等效于减少单个CCD积分时间,从而提高线阵CCD的动态测量范围。设计了一个由5个线阵CCD沿圆周均布的,时序推延的角位移传感器,并完成相应实验系统的搭建。通过与高精度圆光栅在不同速度下动态误差的检定,得出随着运动速度的提高,时序推延测量方法的动态特性要明显优于传统测量方法。结果表明,时序推延测量法在30 r/min时与传统方法 10 r/min的动态误差水平相当,验证了时序推延测量方法对提高CCD动态特性的可行性。

摘要：针对传统光学位移传感器的制造设备昂贵及时栅传感器中存在的抗电磁干扰能力差、制造精度不高等问题,设计了一种基于交变光场时空耦合和光刻技术的光场式时栅传感器。根据光场式时栅传感器测量系统的要求,利用DDS技术生成了光场式时栅的激励信号,并完成了LED光源的驱动电路设计,得到了时栅的交变光场信号;设计了基于硅光电池的光信号采集及调理电路,获得了一路用于位移测量的电行波信号。实验表明:该系统能够稳定工作,在108 mm的测量范围内,光场式时栅的测量精度为±0.5μm。

摘要：时栅位移传感器的核心是时空转换思想,其关键是构建一个无限长匀速运动的栅尺,时栅位移传感器采用了行波来构建这样一个栅尺,因此对行波产生新方法的研究有助于推动时栅位移传感器的研究和发展.分析目前行波产生方法及优缺点,进而提出一种,一种基于光电信号耦合和驻波调制的行波产生新方法.搭建了实验平台,初步实验表明该设计方案是可行的,产生出正确的行波信号,其峰值为300 mV,周期为99.50 us.并与磁场式时栅位移传感器产生的行波进行了对比,表明该设计方案产生的行波信号质量更好.此设计方案摆脱了目前通过电磁耦合获得信号的方式,并且将时栅位移传感器的研究工作究领域从电磁领域拓宽到了光电领域,提供了研究时栅、提高时栅测量精度的新思路、方法、手段,推动了时栅传感器的发展.

摘要：提出一种开放式CAN总线通信仿真开发平台的设计方法,支持可调设计、动态开发和可视化开发,简化了仿真软件的开发过程,对已开发的软件可以根据需求直接修改,提高了软件的适应性。解决了CAN总线消息与有效信息内容动态编辑、虚拟功能控件与CAN总线信息映射关联、显控界面虚拟控件动态编辑等技术难点,并提出了总线数据来源定位技术、基于频率分包与跟踪技术、总线消息"数据池"技术和字节内定位赋值技术等方法,开发了可模拟CAN总线网络信息交互功能的仿真开发平台,基于该平台可以进行物理设备的功能测试、仿真总线功能和总线通信故障诊断,也可作为虚拟控制设备进行应用。开发的CAN总线通信仿真软件经过实际运行试验,仿真效果良好。

摘要：霍尔天平材料中层间耦合作用易于调控,基于此可以实现多组态磁存储模式,其区别于当前基于自旋阀或者磁性隧道结的传统二组态磁存储原理.与此同时,还可以在存储单元中实现信息的逻辑运算从而提高器件整体的运算效率.这一设计有利于自旋电子学器件的微型化、集成化,有望从物理原理上解决当前基于自旋阀或者磁性隧道结的传统二组态自旋电子学材料器件的技术瓶颈,进一步提高磁存储密度,为推动新型自旋电子学材料的研究开辟了一条新的研究思路.首先,本综述将介绍基于霍尔天平材料的磁存储器件的研究背景;其次,重点介绍霍尔天平存储逻辑器件一体化设计的提出与发展历程;再次,介绍霍尔天平材料关键指标-霍尔电阻比值的界面调控及物理机理探索;随后详细阐述霍尔天平体系中磁性斯格明子的产生与多场调控等动态行为.最后,简单介绍霍尔天平结构在其他相关材料中的扩展、应用,并展望其在未来器件应用中的前景.

摘要：基于磁二色效应的光发射电子显微镜磁成像技术是研究薄膜磁畴结构的一种重要研究手段,具有空间分辨率高、可实时成像以及对表面信息敏感等优点.以全固态深紫外激光(波长为177.3 nm;能量为7.0 eV)为激发光源的光发射电子显微技术相比于传统的光发射电子显微镜磁成像技术(以同步辐射光源或汞灯为激发源),摆脱了大型同步辐射光源的限制;同时又解决了当前阈激发研究中由于激发光源能量低难以实现光电子直接激发的技术难题,在实验室条件下实现了高分辨磁成像.本文首先对最新搭建的深紫外激光-光发射电子显微镜系统做了简单介绍.然后结合超高真空分子束外延薄膜沉积技术,成功实现了L10-FePt垂直磁各向异性薄膜的磁畴观测,其空间分辨率高达43.2 nm,与利用X射线作为激发源的光发射电子显微镜磁成像技术处于同一量级,为后续开展高分辨磁成像提供了便利.最后,重点介绍了在该磁成像技术方面取得的一些最新研究成果:通过引入Cr的纳米"台阶",成功设计出FePt的(001)与(111)双取向外延薄膜;并在"台阶"区域使用线偏振态深紫外激光观测到了磁线二色衬度,其强度为圆二色衬度的4.6倍.上述研究结果表明:深紫外激光-光发射电子显微镜磁成像技术在磁性薄膜/多层膜体系磁畴观测方面具备了出色的分辨能力,通过超高真空系统与分子束外延薄膜制备系统相连接,可以实现高质量单晶外延薄膜制备、超高真空原位传输和高分辨磁畴成像三位一体的功能,为未来磁性薄膜材料的研究提供了重要手段.

摘要：《公路桥梁盆式支座》(JT/T 391)作为交通运输行业标准,规定了盆式支座的分类与规格、结构与技术要求、试验方法与检验规则等内容。2019版《公路桥梁盆式支座》主要修改了下列内容:细化类型,调整规格;明确年限,优化参数;选用高性能材料,优化构造;改进试验方法,完善安装事项。2019版《公路桥梁盆式支座》反映了我国公路桥梁盆式支座的材料、设计、生产、检验等方面的技术进步,有利于提高支座性能、减少支座病害、延长支座使用寿命、增强支座的适用性,对于促进桥梁产品产业的科学发展具有重要的促进作用。