摘要：设计出一种能与体硅标准低压 CMOS工艺完全兼容的新型凹源 HV-NMOS( High voltage NMOS)结构 ,在 TSUPREM-4工艺模拟的基础上提出了该结构具体的工艺流程及最佳的工艺参数 ,通过 MEDICI进行特性模拟得到了该结构的电流 -电压和击穿等特性曲线 ,击穿电压比传统 HV-NMOS提高了 3 7.5 %。同时分析了凹源结构、p阱、缓冲层 ( Buffer层 )及场极板对改善 HV-NMOS工作特性的有效作用 ,最后给出了该凹源 HV-NMOS的流水实验测试结果。

摘要：基于高压VDMOS器件的物理机理和特殊结构,对非均匀掺杂沟道、漂移区非线性电阻及非线性寄生电容效应进行分析,用多维非线性方程组描述了器件特性与各参数之间的关系,建立了精确的高压六角型元胞VDMOS器件三维物理模型,并用数值方法求解.基于该物理模型提出的等效电路,在SPICE中准确地模拟了高压VDMOS的特性,包括准饱和特性和瞬态特性.在全电压范围内(0～100 V),直流特性与测试结果、瞬态特性(频率≤5 MHz)与MEDICI模拟结果相差均在5%以内,能够满足HVIC CAD设计的需要.

摘要：借助Tsuprem-4和Medici软件详细讨论分析了高压N-LDMOS器件的衬底浓度、漂移区注入剂量、金属场极板长度等参数与击穿电压之间的关系,通过对各参数的模拟设计,最终得到兼容体硅标准低压CMOS工艺的500V体硅N-LDMOS的最佳结构、工艺参数,通过I-V特性曲线可知该高压N-LDMOS器件的关态和开态击穿电压都达到500V以上,开启电压为1.5V,而且制备工艺简单,可以很好地应用于各种高压功率集成芯片。

摘要：设计出一种能与 0 .6μm的标准低压 CMOS工艺完全兼容的 HV-CMOS (High Voltage CMOS)结构 ,并提出了具体的工艺实现方法——单阱非外延工艺 ,该工艺能降低生产难度和成本。同时采用 TSUPREM-4对该结构进行工艺模拟 ,并用 MEDICI对该结构的电流 -电压和击穿等特性进行模拟。该结构的 HV-CMOS应用于 PDP(Plasma Display Panel)选址驱动芯片 ,能在 80 V、40 m

摘要：基于***的击穿电压理论,通过求解双边突变圆柱结的泊松方程,提出了单个浮置场限环终端结构的击穿电压解析模型。该模型计算结果与模拟结果的误差在±7%之内,具有精度高、应用范围广等特点,可以帮助设计者初步确定浮置场限环注入窗口大小及与主结的间距等关键参数。

摘要：分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响 ,提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度 .模拟结果显示 ,两条原则能够有效地降低沟道两端的两个峰值电场 ,从而缓解沟道热载流子效应 ,提高 P- L DMOS的可靠性 .

摘要：白光LED由于其工作寿命长和能耗低的特点,为无线通讯产品的应用提供了完美的背光方案,其驱动芯片的设计大部分采用电压模式和电流模式两类控制方案。电流控制型白光LED驱动电路因为线性调整率和负载调整率非常好的优点成为目前设计的热点。基于1MHz开关频率的电流控制型白光LED驱动芯片,结合相关的研究,对电流控制型白光LED驱动芯片进行了小信号分析,根据得出的回路增益提出了具体的频率补偿方案,并给出了实现频率补偿的方案必须满足的参数设计方法。补偿方案能有效提高白光LED驱动芯片的小信号稳定性。

摘要：等离子体显示板 (PDP)技术是一种极具前景的主动发光式平板显示技术 ,其驱动技术一直是研究热点之一。文中在介绍PDP驱动系统框架和PDP显示驱动系统中的数字逻辑功能的基础上 ,针对交流 (AC)型PDP在ADS驱动方式下对图像数据的处理和对驱动状态的控制 ,提出一种面向PDP显示驱动的数字逻辑系统设计方案 ,并对方案中主要模块的功能、设计思路及存在的挑战进行了说明。最后 ,结合实验屏的驱动电路进行了逻辑设计仿真和系统验证。文中提出的数字逻辑设计方案对进行PDP显示驱动控制系统设计和相关专用集成电路设计具有重要的借鉴意义。

摘要：　高低压兼容工艺对LDMOSFET漂移区的各参数设计提出了更高的要求。结合实际工艺,对LDMOSFET漂移区的长度、结深、浓度等进行了灵敏度分析,详细分析了各参数对击穿电压和导通电阻的影响。根据分析结果,提出了一种改进方案。模拟结果表明,此方案可以使器件击穿电压提高27%,导通电阻降低10%以上。

摘要：主要介绍了一种新型CMOS基准源电路的设计方法,由NMOS管阈值电压的温度系数及NMOS管迁移率温度指数形成温度补偿,同时产生低温度系数的基准电压和基准电流.此基准源电路已经在3μmCMOS工艺线上实现,基准电压源输出中心值在720mV左右,温度系数为91×10-6/℃.这种基准结构已经成功应用于DC-DC转换器中.