摘要：采用0.35μm CMOS工艺设计了一款基于建立-向下(set-and-down)偏转过程11-bit1-MS/s的逐次逼近型模数转换器(SAR ADC),分析了电容网络的偏转过程。采用本文电容偏转过程的11-bit SAR ADC平均电容偏转能耗比传统的SAR ADC降低了81.25%,且单位电容的总数与传统SAR ADC相比也降低了50%。采用0.35μm 2P3M CMOS工艺对SARADC电路进行了版图绘制,版图尺寸约为705μm×412μm。后仿真结果表明,信号与噪声和失真比达到了66.6dB,有效精度达到了10.7bit。

摘要：为减少电路功耗和噪声,基于0.35μm n-well CMOS(Complementary Metal-Oxide Semiconductor)工艺,设计了320×240焦平面探测阵列的读出电路。该电路给出了一种新型单级电容跨导放大器,采样保持电路为相关双采样电路。电容跨导放大器采用稳定的偏置电路。该电路每帧图像的输出时间为10 ms,输出图像为100帧/s。