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一种pHEMT小信号等效电路模型提取方法: 收藏
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引用; 《中国科学院上海天文台年刊》2012年 66-73页; 作者：曹杰杰李斌中国科学院上海天文台中国科学院研究生院; 赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEM...; 赝高电子迁移率晶体管(pHEMT)目前广泛应用于低噪声放大器的设计,其小信号等效电路模型对于计算机电子设计自动化(EDA)设计尤为重要。本文介绍了一种pHEMT小信号等效电路模型的参数提取方法,并采用该方法对一款稳懋公司0.15μm工艺pHEMT进行仿真参数提取,结果与稳懋pHEMT模型手册中小信号模型对比,吻合良好,进而希望该模型应用于低温pHEMT小信号模型参数提取。; 来源：详细信息评论

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