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IGBT的寄生晶闸管发射结分流电阻
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《Journal of Semiconductors》1995年 第4期16卷 276-281页
作者：曹茂旺 陈治明陕西机械学院自动化系 
为了设计具有最小寄生晶闸管发射结分流电阻Ｒｐ的大电流ＩＧＢＴ，针对圆形、方形、条形等发射极图形设计．建立了Ｒｐ的计算公式模型，并据此讨论了在各种图形设计中的Ｒｐ与ｐ阱高浓度深层扩散的结深和表面杂质的关系，以及图形及其...
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