摘要：利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管(HEMT)中沟道厚度对沟道中二维电子气(2DEG)性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比(R)先增加后减小.当沟道层厚度在20—25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.

摘要：本文研究了COD_(Cr)测定时氟离子的干扰及消除方法,克服汞造成的二次污染,以及废银的回收方法。

摘要：简述了国内锯齿整体锡林的研制概况；提出锯齿整体锡林必须具备的总体要求；详细阐述了ＪＺＸ型锯齿整体锡林工艺参数的优化设计和技术要求；并对今后我国精梳锯齿整体锡林的进一步改进提出了看法和建设性的建议。

摘要：鼓楼区中小学合唱比赛，是学校艺术工作中重要的一项。小学工作繁杂，任务一项又一项。音乐教师接到比赛通知，最多两个月排练时间。扣除节假休息日和学校其他活动，坚持每天一小时训练，不到40小时。从各班选学生到排练好作品参赛，面对10岁左右的百名学生，真是个艰巨的过程。那么如何在这么短的时间内，做好工作，取得好成绩呢？以下是我这几年工作中的一点体会。

摘要：探讨全固定盖板梳棉机的创新设计及其纺纱效果。解析了踵趾差齿条结构、齿形和棉网清洁器结构的创新设计,以及对全固定盖板梳棉机梳理质量的影响。采用全固定盖板梳棉机(双列齿条、踵趾差齿条)与活动盖板梳棉机分别纺制莫代尔纱和棉纱,并对其成纱质量进行了对比试验。试验表明:全固定盖板梳棉机踵趾差齿条结构固定盖板的梳理质量优于双列齿条结构固定盖板,达到或略优于活动盖板梳棉机的梳理质量。认为:踵趾差齿条和棉网清洁器的创新设计显著改善和提升了全固定盖板梳棉机梳理质量,使全固定盖板梳棉机的适用范围进一步拓宽,优势发挥凸显。

摘要：对基于InGaN/GaN量子阱的蓝绿双波长发光二极管的材料生长和发光性质进行了研究.通过设计生长多组具有不同参量的外延结构,获得了优化的双波长量子阱结构参量,指出量子阱位置的分布、蓝绿阱间垒的宽度以及材料构成对量子阱发光性能均有较大影响.对双波长发光二极管器件光学性质进行了研究,结果表明,InGaN/GaN量子阱发光更依赖于In团簇形成的局域激子发光,从而导致了小电流下的反常光学现象.通过数值计算材料内部极化场的强度,对波长漂移的原因进行了解释,并通过双波长发光效率拟合分析了发光二极管"droop"效应可能的产生机理.

摘要：在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶衍射对该组样品进行了测试分析，并用X射线衍射的运动学模型对衍射图样进行了计算机模拟，确定出了该组样品阶层中的In组分、阶宽及垒宽．结果表明，每个样品的DCXRD衍射图样上均至少可以看到14个锐而强的卫星峰，且模拟曲线与测得的衍射曲线符合得相当好，说明材料结构完整、具有较高的质量；样品的设计参数与计算机模拟得到的参数基本一致，说明生长过程可以很好的控制．

摘要：通过包括所有可能的高阶衍射波，本文计算了量子阱红外探测器一维光栅的光谱响应，发现一维光栅有很宽的光谱范围，可以同时覆盖3～5μm和8～14μm两个波段，这将有益于红外焦平面列阵和双色探测器的设计．同时，文中就光栅深度和沟道宽度对光栅光谱响应的影响作了研究，发现光栅的深度对其光谱响应和耦合效率有明显的影响，存在一个对应最大耦合效率的光栅深度。

摘要：针对由激光隐形切割技术导致的蓝宝石衬底侧壁粗化对GaN基发光二极管(LED)倒装芯片光提取效率(LEE)的影响,提出一种蒙特卡罗光线追踪的方法。使用蒙特卡罗光线追踪法具体分析侧壁隐形切割对LED倒装芯片各出光面LEE的影响,并对LED倒装芯片蓝宝石侧壁隐形切割的层数和位置进行优化设计。仿真结果表明,随着蓝宝石侧壁隐形切割层数的增多,以及蓝宝石侧壁等效粗糙度的提升,LED倒装芯片顶部出光面的LEE缓慢减少,而侧壁和LED倒装芯片总的LEE逐渐增加。采用蒙特卡罗光线追踪法模拟均匀激光打点与组合激光打点对LED倒装芯片LEE的影响。实验结果表明,当隐形切割层数固定时,均匀激光打点的侧壁和总的LEE均高于组合激光打点。

摘要：用Shubnikov-de Haas(SdH)振荡效应,研究了在1.4K下不同量子阱宽度(10-35nm)的InP基高电子迁移率晶体管材料的二维电子气特性.通过对纵向电阻SdH振荡的快速傅里叶变换分析,得到不同阱宽时量子阱中二维电子气各子带电子浓度和量子迁移率.研究发现,在Si掺杂浓度一定时,阱宽的改变对于量子阱中总的载流子浓度改变不大,但是随着阱宽的增加,阱中的电子从占据一个子带到占据两个子带,且第二子带上的载流子迁移率远大于第一子带迁移率.当量子阱宽度为20nm时,处在第二子能级上的电子数与处在第一子能级上的电子数之比达到了最大值0.24.此时有最多的电子位于迁移率高的第二子能级,材料的迁移率也最大.此结果对于优化器件的设计有重要意义.