摘要：本文设计和研制了具有MIS结构的n-AlGaAs/InGaAs/n-GaAs 双调制掺杂赝HEMT.它结合了MISFET和双调制掺杂赝HEMT的特点.1μm栅长器件的最大漏电流密度达400mA/mm,栅反向击穿电压高达15V.器件还显示了良好的微波射频特性.

摘要：我厂2500t／d新型干法生产线使用YG450／80堆取料机均化石灰石，自2004年3月投入使用以来，取料机刮板中间大部分导轮经常不转，中间导槽靠料耙侧磨损快、导槽更换频繁，链条经常脱销轴、掉链，生产受到严重影响。经分析研究，发现主要原因是导轮、链条销轴设计不合理。经过改造后，再也没有出现这种现象。本文对此做一总结。

摘要：叙述了基于GaAsHBT的直接耦合级联形式,设计制造的几种微波单片集成电路，包括2.5Gb/s跨阻放大器、3GHz可级联放大器和10Gb/s跨阻放大器的设计、制造和测试结果。

摘要：本文介绍了利用 In Ga As金属 -半导体 -金属 (MSM)长波长光探测器与 In Al As- In Ga As高电子迁移率晶体管 (HEMT)单片集成来实现长波长光接收机的材料和电路设计、工艺途径等研究工作 ,基本解决了两种器件集成的工艺兼容性的问题 ,实现了 1.3Gb/ s传输速率的单片集成长波长光接收机样品。