摘要：设计与合成了一种基于Pt配合物的新型磷光材料(ppy)Pt(bcam),用其制备了相应的磷光器件,器件的结构为ITO/NPB(50 nm)/CBP(15 nm)/(ppy)Pt(bcam)(0.3-2.0 nm)/CBP(15 nm)/BCP(10 nm)/Alq3(20 nm)/Mg:Ag(200 nm),并对器件的相关特性进行了研究。(ppy)Pt(bcam)磷光器件的最大发光波长为625 nm,器件的最大发光波长随驱动电压变化很小,显示了该器件磷光特性非常稳定;磷光发光层厚度为0.5 nm在驱动电压为24.25 V时亮度达到8 755 cd/m2,电流密度为499 A/m2时得到最大的电流效率3.33 cd/A。

摘要：介绍了新型TFT LCD黑矩阵细线化研究.在原有工艺设备的基础上,突破设备局限和工艺瓶颈,通过引入相掩膜技术和背面曝光设备,达到进一步减小黑矩阵线宽的效果.实验测试结果显示：在普通掩膜板设计上应用相位移掩膜板技术,降低透光区边缘衍射和散射现象,使曝光后黑矩阵线宽降低1.0～1.5 μm.在原有工艺基础上添加背面曝光工艺,使黑矩阵材料在显影后进行背面曝光预固化,改善黑矩阵图形形貌,进一步减小黑矩阵线宽达到0.3～0.5 μm.通过新工艺和新设备的引入和应用,黑矩阵线宽整体降低1.5～2.0 pm,达到5.0～5.5 μm,可以满足目前高PPI（单位面积像素个数）产品对透过率和对比度要求.