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基于Klarite芯片的表面增强拉曼散射特性研究: 收藏
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引用; 《光散射学报》2012年第1期24卷 17-22页; 作者：王俊俏朱双美何金娜程永光范春珍蔡根旺梁二军郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室郑州450052; 本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite),并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析。Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性,为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具。此...; 本文介绍了一种商用的表面增强拉曼芯片(Klarite),并对其表面形貌、拉曼活性进行了表征和测试分析。Klarite芯片由于独特的倒金字塔形设计使得其具有较好的拉曼活性、稳定性和重现性,为生命科学和分析化学研究提供了有力的研究工具。此外,我们对Klarite芯片在外电磁场作用下的表面电场分布进行了模拟,发现一个结构单元中存在多个"热点"区域,并且最大电磁场的增强随着倒置金字塔的高度h改变而变化,当h为600nm时,电磁场增强达到最大,约为25倍。; 来源：详细信息评论

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