摘要：设计了一种三级台面的InGaAs/InP雪崩光电二极管,解决了器件边缘电场和暗电流较高的问题.采用Silvaco Atlas器件仿真软件分析了边缘间距、电荷层掺杂浓度及厚度、倍增层掺杂浓度及厚度对器件性能的影响.仿真结果表明,本文设计的三级台面器件在边缘间距为8μm时有最优器件尺寸和较低边缘电场.采用掺杂浓度为1×10^(17)cm^(-3)、厚度为0.2μm的电荷层和掺杂浓度为2×10^(15)cm^(-3)、厚度为0.4μm的倍增层,成功将高电场限制在中心区域,使得反偏电压40V时的边缘电场降低至2.6×105V/cm,仅为中心电场的1/2,增强了器件的抗击穿能力.此外,本文设计的器件在0.9 V_(br)时的暗电流降低至9.25pA,仅为传统两级台面器件的1/3.

摘要：随着消费者对高效廉价运输系统的要求逐渐提高,物流机器人代替人力运输成为各物流公司的研究热点。为使各类消费者能够享受更加高效、便捷的物流服务,设计了一款基于Wi-Fi通讯的履带式爬楼运载小车,通过Wi-Fi通信模块,将Arduino主控板与blinker物联网平台进行适配连接,实现小车的平地和爬楼运动控制。采用这种设计的运载小车不仅能够满足一般的平地越障等要求,还能够实现爬楼和更远范围的配送服务,满足无电梯公寓高楼层顾客的需求,也能够满足特殊时期的无接触配送需求。

摘要：基于深亚微米CMOS工艺,设计了一种采用非接触式P阱保护环来抑制边缘击穿的单光子雪崩二极管结构.采用器件仿真软件Silvaco Atlas分析了保护环间距对器件的电场分布和雪崩触发概率等特性的影响,结合物理模型计算了所设计器件的暗计数概率和光子探测效率.仿真和计算结果表明,保护环间距d=0.6μm时器件性能最优,此时击穿电压为13.5V,暗电流为10-11 A.在过偏压为2.5V时,门控模式下的暗计数概率仅为0.38%,器件在400~700nm之间具有良好的光学响应,500nm时的峰值探测效率可达39%.

摘要：因省去了淬火、回火工艺,非调质钢具有节约能源资源的特点,使其受到广泛关注,在汽车工业等领域具有很大的应用潜力。从成分优化设计、控锻控冷技术及热处理技术等方面系统阐述了铁素体-珠光体(F-P)型非调质钢强韧化技术的国内外研究概况,重点探讨了控锻控冷技术对组织细化、碳氮化物及晶内铁素体(IGF)析出行为的影响,并对其强韧化技术研究的前景进行了展望。

摘要：番茄果实的营养品质主要取决于其代谢物的组成和含量。果实褪绿是成熟的标志性事件。为了探究叶绿素降解代谢对果实品质性状形成的影响,对叶绿素降解关键酶基因SlNYE1/GF突变体(gf)与野生型(AC)番茄果实成熟过程中代谢物的组成和变化趋势进行了分析。利用核磁共振氢谱(1HNMR)技术对成熟期的gf和AC果实进行了检测,鉴定出了30种代谢物,包括5种有机酸、3种糖类、16种氨基酸及其衍生物和6种其它代谢物。分析结果显示,AC果实的葡萄糖和柠檬酸含量在成熟过程中逐渐增多,而gf果实的葡萄糖含量呈现下降趋势,柠檬酸的含量先增加而后有所降低;gf果实在整个成熟期苹果酸含量较低而氨基酸含量较高。研究表明,SlNYE1/GF的突变显著影响番茄果实的生理代谢及营养品质。