摘要：介绍基于DRO(Dielectric Resonator Oscillator)技术的低相噪微波频率源,由于DRO的高Q值其相比于锁相环(PLL)技术具有更低的相位噪声,用低温度系数的介质谐振器,有效地改善了振荡器的频率温度稳定性。同时减小介质谐振器与微带线之间的耦合度,能进一步改善相位噪声。论文设计的输出频率为4GHz的DRO在频偏10KHz处相位噪声-122dBc/Hz,输出功率8.5dBm,二次谐波抑制-42dBc,证明了其在低相位噪声频率源应用上的优势。

摘要：阐述了PLL频率合成器的重要应用及其相对于DDS和DAS频率合成器的优势与不足。在对PLL三个重要参数论述的基础上,提出了制作性能均衡PLL频率合成器的思路。同时设计了一个L波段的频率合成器,在频偏10 kHz时相位噪声为-102 dBc/Hz,杂散抑制为-71 dBc,跳频时间为6μs。证明了这种思路的可行性。