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检索条件"作者=朱浩良"
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迎宾西路隧道基坑支护结构施工优化研究
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《工程技术研究》2018年 第16期3卷 24-26页
作者:朱浩良合肥市市政设计研究总院有限公司安徽合肥230041 
安庆市迎宾西路是连接主城区东西向主要干道,火车站段拟建隧道下穿。根据周边建设条件,施工时对原基坑设计方案进行优化设计,以方便施工,加快施工进度。
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合肥市郎溪路南淝河大桥方案设计研究
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《山西建筑》2014年 第7期40卷 190-192页
作者:朱浩良合肥市市政设计院有限公司安徽合肥230041 
根据桥位建设条件及技术标准,针对郎溪路南淝河大桥,提出两种不同的桥型设计方案,并通过多角度综合比选,确定75 m+120 m+75 m三孔联混凝土连续梁桥作为推荐方案,并针对行人、非机动车通行,提出新颖的设计方案,使南淝河大桥成为标志性建筑。
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安庆市水产路桥梁设计方案研究
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《工程与建设》2019年 第4期33卷 532-534页
作者:朱浩良合肥市市政设计研究总院有限公司 
安庆市水产路是物流园区内的交通性城市次干路,沿线河道有机场大沟和谷桥大沟等。根据桥位建设条件,对两座跨河桥结合周边环境提出两种不同的设计方案,并经过比选确定桥型方案。
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轨道结构上方高架桥桥台设计
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《工程与建设》2017年 第4期31卷 451-453页
作者:朱浩良合肥市市政设计研究总院有限公司安徽合肥230041 
城市高架桥的墩台基础与轨道交通的区间隧道,需要具有一定的安全距离;桥墩基础可以满足要求,而桥台结构由于挡土的需要,难以满足要求。文章对如何满足桥台基础与轨道结构的安全净距,提出两种在工程实际中可行的方法。
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路基挡土墙土压力的极限分析法
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《合肥工业大学学报(自然科学版)》2006年 第1期29卷 98-101页
作者:郑炜 林海洋 朱浩良温州市高速公路建设工程总指挥部浙江温州325000 温州市交通规划设计研究院浙江温州325000 合肥工业大学土木建筑工程学院安徽合肥230009 
针对传统黏性土路基土压力计算理论的不足之处,提出利用极限分析法计算黏性土路基挡土墙的主动土压力,把土的黏聚力作为一个单独的计算因素,推导出相应的计算公式,使之更适合于一般情况下的土压力计算,并通过算例与传统的计算方法相比较...
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城市宽箱梁桥墩柱选取与美学的探讨
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《工程与建设》2015年 第3期29卷 321-323页
作者:朱浩良 唐振忠合肥市市政设计院有限公司安徽合肥230041 
九华河大桥位于池州市观前镇内,主桥跨径布置为38m+61m+38m,为三跨预应力混凝土悬臂浇筑单箱双室变截面连续梁桥。该文结合设计中的桥梁横向墩柱选取,利用Midas Civil有限元软件进行建模计算,在城市宽箱梁桥的横向墩柱数量不同的情况下...
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社区老年慢性疼痛患者社会支持、自我效能与生活质量的关系研究
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《中国卫生产业》2016年 第6期13卷 193-195页
作者:朱浩良中国人民解放军第二二二医院吉林吉林132011 
目的通过调查社区老年慢性疼痛患者的人口学和一般健康相关资料、疼痛特征、社会支持、自我效能以及生活质量水平,分析人口学和一般健康相关资料、疼痛特征对社会支持、自我效能和生活质量的影响,以及社会支持、自我效能与生活质量的相...
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车辆荷载横向分布对钢筋混凝土刚架拱桥的响应
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《工程与建设》2006年 第1期20卷 7-9页
作者:朱浩良 王国体 刘美兰合肥工业大学土木建筑工程学院安徽合肥230009 
工程实践中,由于构造设计、施工特点的不同,不同的桥型采用了不同类型的横向结构,也相应有不同的横向结构简化模型和计算方法。文章通过对某刚架拱桥算例的分析比较,得出钢筋混凝土刚架拱桥横向分布计算的适用的计算方法。
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压阻型集成电路封装应力测试芯片的研究与应用
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《Journal of Semiconductors》1998年 第11期19卷 812-817页
作者:贾松 朱浩 罗艳斌清华大学微电子所 
本文介绍了一种(100)硅片上的压阻型集成电路封装应力测试芯片的设计、制造、校准和应用测量情况.该应力测试芯片包含双极性4元素应力测试单元和偏轴3元素压阻系数校准单元.所用应力测试单元具有温度补偿、灵敏度高、抑制工艺...
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Design and Implementation of an Optoelectronic Integrated Receiver in Standard CMOS Process
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《Journal of Semiconductors》2007年 第8期28卷 1198-1203页
作者:余长亮 毛陆虹 宋瑞 朱浩 王蕊 王倩天津大学电子信息工程学院天津300072 
A wideband monolithic optoelectronic integrated receiver with a high-speed photo-detector,completely compatible with standard CMOS processes,is designed and implemented in 0.6μm standard CMOS *** experimental results...
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