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高k栅介质InGaAs MOSFET结构的设计与仿真
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《微电子学》2014年 第2期44卷 237-240,244页
作者：朱述炎 叶青 汪礼胜 徐静平华中科技大学光学与电子信息学院武汉430074 武汉理工大学理学院物理科学与技术系武汉430070 
利用半导体仿真工具Silvaco TCAD,研究了高k栅介质InGaAs MOSFET的三种结构:缓冲层结构、侧墙结构和基本结构。通过对三种结构MOSFET的阈值电压、亚阈值摆幅以及漏源电流进行比较分析,得出缓冲层结构InGaAs MOSFET具有最佳的电学特性,...
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