摘要：基于TSMC180nm的1P6M标准互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺,文章设计了一款8位分辨率的R-2R阶梯架构电压型数模转换器(DAC)。为了降低电阻失配对DAC性能的影响,该DAC采用了传输门结构开关,并通过后仿真与实际测试对其性能进行了对比分析。测试结果表明,在1.8V电源供电下,总版图面积为820μm×820μm,DAC总功耗为91.8μW,其最大转换速率达250M采样次数/s,微分非线性误差(D_(NL))和积分非线性误差(I_(NL))的最大绝对值分别为0.32LSB和0.52LSB。

摘要：随着信息技术的高速发展,开发超高速、低能耗、超高集成度的功能器件成为了自旋电子器件的历史使命。反铁磁材料,因其太赫兹级超高频特征以及无杂散磁场的优势,有望成为下一代自旋电子学材料的有利候选。然而,本征反铁磁材料的磁性检测及其操控方面仍存在一定的难度,因此限制着反铁磁材料在信息技术领域中的应用与发展。近年来,稀土/过渡金属(RE/TM)多层膜体系备受人们的关注。由于其内部存在界面反铁磁耦合使其宏观上表现出微弱的磁性却仍保留着内部铁磁特征,有利于器件小型化以及其集成设计,且容易探测其内部磁化状态的变化,是目前最有利于自旋电子学应用的材料候选之一。本文介绍了基于RE/TM多层结构的人工反铁磁薄膜材料研究进展,着重分析了基于Gd和Tb的RE/TM多层膜体系的物理性质和内部反铁磁耦合的机制。最后,结合其物理学特征展望了RE/TM多层结构人工反铁磁薄膜材料的研究前景。

摘要：研究了由单铜辊真空熔融纺丝技术制备的扁平带状铁基磁性非晶态合金Fe(85-x)CoxTi7Hf6B2(x=20, 30, 35,原子分数)的电学特性。这种软铁磁性非晶合金与其他含FeCo类合金一样,当Co含量达到30%附近时其饱和磁化强度会呈现最大值。尽管如此,体系中Co含量的改变并没有对这种铁基非晶合金的磁性能产生较大的影响。值得注意的是,在这种铁基非晶合金体系中Co含量的改变可导致其电学特性发生显著的转变。比如:当Co含量为20%时,其电阻温度系数为负值,表现出类似于半导体的电阻温度特性和P型半导体的电学特性;然而,当Co含量增加到30%和35%时,其电阻温度系数则转变为正值,呈现出类似一般金属导体的电阻温度特性。不仅如此,根据该非晶合金中各组成元素的电负性和电离势揭示了Co含量可调控载流子(空穴)浓度的物理机制,为新型铁基非晶合金材料的设计提供新方法。