摘要：设计了一种阈值为5g的低g值磁自锁微机电系统(MEMS)惯性开关,具有阈值可调和自回复功能。该惯性开关的惯性敏感单元由1个方形质量块、1块固定在质量块下的方形棋盘状磁铁和4根支撑它的方形阿基米德螺旋梁组成。磁铁和4块位于移动电极下方的铁磁性固定电极、双层平面线圈一起共同实现磁自锁和阈值调节功能。通过有限元仿真软件ANSYS对其进行仿真分析,利用激光加工和PCB工艺制造样片机,并通过离心机对样品进行性能测试。测试结果显示,制作的MEMS惯性开关在垂直敏感方向上的阈值加速度为5.27g,通过施加−0.5~0.5 A范围的电流,阈值的调整范围为6g~3.75g。结果表明此结构能够在实现闭锁功能的同时,在无外力作用的情况下实现自回复,且在一定范围内阈值可调。

摘要：在以往的物理教材中,对半导体的介绍往往是从它们组成材料的原子结构、PN结等性质向学生阐述。这些固然重要,但有些枯燥。所以我们在文章中以实际的应用出发,介绍了在实际应用中晶体管的三种组态,以此来提高学生对半导体物理的兴趣。晶体管放大技术电路有共发射极、共集电极和共基极三种组态。针对如何根据实际需求在实际的电路设计中选择合适的电路组态,文章结合一个包含三种组态的实际放大电路深入细致的分析比较了三种放大电路,加深了对三种放大电路的理解。