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检索条件"作者=李作金"
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1024位CCD模拟延迟线的研制
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《半导体光电》1991年 第3期12卷 271-275页
作者:李作金 张平重庆光电技术研究所重庆永川632163 
本文介绍了我所研制的1024位CCD模拟延迟线的基本原理和结构设计,着重讨论了器件参数及提高器件参数的途径。
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4096位线阵CCPD摄像器件
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《半导体光电》1994年 第4期15卷 350-354页
作者:李作金 杨亚生重庆光电技术研究所 
采用双线型三相埋沟结构,设计并研制成功4096位线阵CCPD摄像器件。器件动态范围达600:1,暗电流密度为10nA/cm ̄2。文章阐述了该器件的工原理、结构设计和制工艺。
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高性能128×128元 PtSi肖特基势垒红外焦平面列阵
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《半导体光电》1993年 第2期14卷 127-133页
作者:杨家德 李作金 杨亚生重庆光电技术研究所 
设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。
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高阻p型硅大面积四象限探测器的研制
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《半导体光电》2012年 第3期33卷 364-366页
作者:向勇军 黄烈云 李作金重庆光电技术研究所重庆400060 
采用PIN结构,研制出高阻p型硅大面积四象限探测器。详细介绍了器件结构设计和制工艺。对器件响应时间、象限串扰、暗电流和响应度等参数进行了计算与分析。实验结果表明,器件响应度达到0.45A/W(λ=1.06μm),暗电流小于50nA(Vr=135V),...
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512×512元PtSi肖特基势垒IR CCD图像传感器
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《半导体光电》2003年 第3期24卷 154-156页
作者:熊平 周旭东 邓光华 李作金 王颖 华高 袁礼华 蒋志伟重庆光电技术研究所重庆400060 
研制了隔行扫描单片式内线转移结构512×512元PtSi肖特基势垒红外电荷耦合器件(CCD)。器件采用最小2μm设计规则,两层多晶硅结构。器件的像元尺寸为36μm(H)×34μm(V),填充系数为40%。器件工在80K温度下。在阵列帧频为30帧...
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考虑节点电价差异性的输电线路综合增容方法
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《电力系统装备》2023年 第2期 47-49页
作者:刘若平 苏泽仁 左郑敏 广东电网有限责任公司电网规划研究中心广东广州510620 中国能源建设集团广东省电力设计研究院有限公司广东广州510663 
在提高线路输送能力,同时保证供电可靠性的前提下,提出了一种适用于工程实时应用的综合增容方法,对已有的输电线路载流量方法进行了简化。为了快速确定需增容的输电线路,建立了电力市场优化购电和增容输电线路选择双层模型,同时提出了...
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多直流馈入电网规划方案评价指标体系
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《广东电力》2018年 第10期31卷 117-126页
作者:程鑫 杨燕 徐蔚 黄伟杰 广东电网发展研究院有限责任公司广东广州510080 
为实现对多直流馈入电网规划方案优劣的综合评价,提出一套适用于多直流馈入电网规划的指标体系,并讨论相应的综合评价方法。首先,基于多直流馈入电网评价指标体系构建的原则,设计综合考虑电网规划充裕性、安全性、可行性及经济性4方面...
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