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2μm InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构的数值研究
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《半导体光电》2015年 第2期36卷 205-208,212页
作者：安宁 刘国军 刘超 李占国 刘鹏程 魏志鹏 方玄 马晓辉长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室长春130022 
为了降低2μm半导体激光器的阈值电流并提高器件的输出功率,设计了InGaAsSb/AlGaAsSb应变补偿量子阱结构,并利用SimLastip软件对器件进行了数值模拟。研究表明,在势垒中适当引入张应变可以改善量子阱的能带结构,提高对载流子的限制能力...
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