摘要：根据资源节约型社会的内涵与特征,设计了建设资源节约型社会评价监测指标体系,并运用该指标体系和综合指数方法对全国及各地区2005—2008年建设资源节约型社会的进展情况作了测算分析。结果表明,我国在资源节约与环境治理等方面取得一定成效,但要实现预期目标还需进一步加快建设资源节约型社会的进程。

摘要：基于半导体量子阱激光器的基本理论 ,设计了合理的 1 .3 μm无致冷 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱激光器结构 ,通过低压金属有机化学气相外延 ( LP-MOVPE)工艺在国内首次生长出了高质量的 Al Ga In As/ In P应变补偿量子阱结构材料 ,用此材料制作的器件指标为激射波长 :1 2 80 nm≤λ≤ 1 3 2 0 nm,阈值电流 :Ith( 2 5℃ )≤ 1 5m A,Ith( 85℃ )≤ 3 0 m A,量子效率变化 :Δηex( 2 5℃～ 85℃ )≤ 1 .0 d B,线性功率 :P0 ≥ 1 0 m

摘要：根据新型工业化的内涵设计了新型工业化评价指标体系,并运用该体系和统计上的综合指数法对东部11省市及全国新型工业化进程作了测算分析。着重对山东省新型工业化的现状、问题进行了分析,提出了加快山东新型工业化进程的对策。

摘要：本文从理论上对混合应变量子阱结构（既有张应变量子阱又有压应变量子阱）的光学限制因子进行了讨论。由于垒层宽度较小，其变化量也不大，对光学限制影响相对小一些。当各层的折射率一定时，对称和非对称结构的最佳波导层厚度差不多，限制因子与波导层厚度的关系也类似。在最佳波导层厚度附近的区域，ΓＴＭ／ΓＴＥ比值变化对波导层厚比较敏感，这点可以用于偏振无关放大器的设计中，因为我们能够通过调节波导层厚度改变ＴＭ／ＴＥ模式增益比。

摘要：本文首次采用双重肖特基势垒增强层技术，制作了InGaAsMSMS－PD光电探测器．实际结构表明：具有15nm的P－InP和100nmInP双重势垒增强层的器件极大地减小了暗电流，器件的暗电流均小于10nA，响应度为0．83A／W，FWHM为70ps，证明这是一种减小MSM－PD暗电流的有效设计方法．

摘要：介绍了应用于波分复用（WDM）系统的多波长分布反馈（DFB）激光器陈列的理论基础和设计方法。讨论了制作过程中出现的一些问题。

摘要：考虑限制层内的载流子，对两种激射波长相同的匹配单量子阱激光器的载流子溢出和增益特性进行了分析。限制层在提供光学限制的同时，对载流子（主要是导带电子）分布也有影响。阱宽一定时，对光学限制因子存在最优限制层厚度；而随着限制层厚度的增加，注入到量子阱内的载流子比例减小。小阱宽的量子阱虽然光学限制因子和载流子注入比例都较小，但由于其价带耦合小于宽量子阱，从而具有高的模式增益，说明量子阱的能带结构对其光学特性有决定性的作用。采用其它减小价带耦合的方法，如在阱区引入应变，可进一步提高激光器的性能。

摘要：就DWDM系统的DFB阵列LD与波导器件的模式匹配问题提出了双微透镜阵列的耦合方案 ;采用微透镜对微高斯光束的变换理论对耦合微透镜进行了设计 ,并得出了各设计参数的计算公式 .

摘要：针对ｌｎＧａＡｓＰ材料，我们比较了不同应变与阱宽组合的固定波长应变量子阱特性压应变下量子阱的应变量越大，阱宽越窄，其能带结构越理想张应变下主要由于电子与轻空穴的偶极矩阵元比电子与重空穴的大，以及其较大的态密度，使得张应变量子阱的微分增益比压应变和匹配量子阱的大得多如果固定的张应变量只能使第一子带为ＬＨ，第二子带为ＨＨ，则存在一个最优的阱宽，阱宽太小不能消除ＬＨＩ与ＨＨ２的耦合，阱宽太大又会带来ＬＨ３与ＨＨ２的耦合。