摘要：某工程在某半地下储罐基坑周围区域布设了6个监测点用以监测圈梁轴力。文中整理分析此监测数据,并根据监测数据对圈梁轴力的监测结果进行了分析,结果表明,在圈梁钢筋的围护下,钻孔咬合灌注桩处于安全状态,针对半地下式储罐设计的环形咬合灌注桩基坑支护结构合理可行,对基坑变形的控制效果显著。

摘要：针对压电换能器谐振频率受焊接工具头发热的影响而产生漂移的问题,设计了一种以现场可编程门阵列(FPGA)为控制核心,并结合了直接数字式频率合成器(DDS)的步进追频超声电源。利用FPGA的并行运算方式实时处理电压及电流相位数据并对驱动频率做出实时反馈调节;利用DDS输出的高分辨频率对驱动频率实现精确的步进调节;FPGA的高速性及DDS的精确性避免了谐振相位失锁及频率超调的现象发生。实验结果表明,所设计的超声驱动电源能够在500μs内完成一次数据处理,频率跟踪精度可达2 Hz。该电源实现了在换能器阻抗及谐振频率不断随焊接工具头温度变化的情况下,仍能保证换能器以谐振频率工作。

摘要：针对超声金属焊接过程中出现的负载变化导致谐振频率漂移和焊接振幅失恒问题,设计了一种基于步进追频及恒振幅控制的超声电源。在负载变化对谐振频率影响的研究基础上,根据可编程逻辑阵列-直接数字式频率合成器步进追频原理设计了负载变化追频逻辑;结合全桥逆变电路的移相控制方式,研究了不同占空比下的最大输入电流与最大焊接振幅的关系,提出了基于输入电流反馈下的步进移相恒振幅控制方案。实验结果表明,负载变化追频逻辑实现了谐振频率快速变化下的动态实时追踪,解决了因频率失谐导致的焊接振幅非线性下降问题。同时,在加入了振幅闭环控制后,实现了焊接振幅相对极差稳定在10%以内。

摘要：通过溶液法制备了新型有源层钨锌锡氧化物(WZTO)薄膜晶体管(TFT),研究了不同退火温度对WZTO薄膜和TFT器件性能的影响。XRD结果表明即使退火温度达到500℃,WZTO薄膜仍为非晶态结构。W掺杂显著降低了薄膜表面粗糙度,其粗糙度均从0. 9 nm降低到0. 5 nm以下;但不影响薄膜可见光透过率,其透过率均大于85%。同时XPS分析证实随退火温度升高,WZTO薄膜中对应氧空位的峰增加。制备的WZTO器件阈值电压由8. 04 V降至3. 48 V,载流子迁移率随着退火温度的升高而增大,开关电流比达到107。

摘要：近年来,有机半导体的开发及应用推动了有机光电器件的迅速发展。其中小分子半导体器件相比聚合物半导体器件具有更好的重现性和可控性,制备工艺更多样化,界面调控更简单且机理更清晰。然而,小分子半导体在成膜设备和成膜工艺方面要求相对更高,尤其是工艺参数对膜中分子聚集态和取向性有显著影响。目前,小分子半导体材料存在的不足在于:(1)常规制备工艺难以获得分子排列高度有序的薄膜;(2)可同时蒸镀和溶液加工的小分子半导体相对缺乏;(3)光吸收范围相对较窄且激子扩散长度较短。2009年首次报道的二萘嵌苯类小分子半导体四苯基二苯并荧蒽(Tetraphenyldibenzoperiflanthene,DBP)及其衍生物二茚并苝(Diindeno-perylene,DIP)凭借优异的光电性能,如DBP在可见光区强吸收、双极传输特性、高空穴迁移率、强水平分子取向趋势、高光/热稳定性以及DIP的双极传输特性、垂直分子取向和高结晶性等,引起了越来越多的关注。近年来,研究者们主要从设备改造、制备工艺、器件结构和材料匹配等方面进行尝试,不断提升基于DBP和DIP的有机光电器件的性能。DBP和DIP在有机光伏电池、有机发光二极管、有机晶体管中被有效应用。主要通过热退火和溶剂蒸气退火工艺提升DBP光伏电池的光电流、填充因子,并将DBP作为受体匹配合适的给体或将DBP与非富勒烯受体匹配后获得更高的开路电压。在基于DBP的有机发光二极管和有机场效应晶体管方面,主要研究了器件性能与缓冲层传输特性、发光层结构、基板温度和沟道长度等之间的关联性。关于DIP薄膜,近几年的研究工作将角度倾斜沉积、温度控制、退火工艺、分子模板等手段引入到薄膜分子取向调控中。并利用DIP的双极传输制备了基于DIP给体或DIP受体的光伏电池,获得了较高的电池效率(5.8%)。此外,通过易结晶的DIP诱导其他半导体材料的分子排列提升有机场效应晶体管的迁移率。本文系统综述了DBP和DIP的材料特性及其在上述多种有机光电器件中的重要研究进展,并对其研究趋势进行了深度展望,以期为这类小分子半导体的分子设计及应用提供参考。

摘要：优化超声变幅杆的形状结构可有效地提高水域声场分布和空化区域,提升对水域超声空化效果。通过模拟分析发现传统超声变幅杆在水域中具有声场分布均匀性差、变幅杆端部声压高等特征,不利于声波在水域中传播。基于此,提出并优化设计了一种具有碟形结构的变幅杆,位于变幅杆的最大振幅处的碟形结构,有更大的振动位移;模拟表明其水域声场和声压均衡度显著优于传统变幅杆,铝箔空化腐蚀实验进一步证实了其水域中的声压分布均匀性。同时,实验通过铝箔的空化腐蚀、KI剂量测定及工件表面油渍去除对比了传统变幅杆和碟形变幅杆,分析表明碟形变幅杆所在水域中有较大的空化腐蚀区域,腐蚀速率明显提升,声化学反应速率提高,油渍去除程度增强,说明了设计的碟形变幅杆能够促进空化泡的产生,增加水域空化区域。

摘要：通过在烧结过程中调节气氛气压改变烧结压力来制备高性能ITO靶材,采用磁控溅射生长ITO薄膜,采用X射线衍射(XRD)、紫外-可见分光光度计、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜等对ITO薄膜进行表征并对靶材表面进行观察。结果表明烧结压力略高于标准大气压(0.105 MPa)工艺条件下制备的ITO靶材表面的结瘤更少。磁控溅射制备的薄膜均处于非晶状态,薄膜的表面粗糙度由0.35nm降低至0.28nm,薄膜的平均光学透过率均高于84%。改善工艺后的ITO靶材制备的ITO薄膜刻蚀残留非常少。在优化的工艺条件下,靶材质量得到有效改善,透明导电氧化物薄膜性能得到提高。

摘要：工程实际当中,换能器理论设计往往忽略由于工况和装配原因对换能器外形结构所进行的改变,这些变化不仅增加了设计难度,而且对换能器的频率、振幅、应力等振动特性造成影响。通过ANSYS有限元分析研究了装配凹槽和工艺倒角对换能器振动特性的影响规律,并实际加工验证,结果显示实际测试值和仿真值相吻合,验证了ANSYS有限元分析的正确性,为工程实际当中换能器的理论设计和研究提供了参考价值。

摘要：工件台是TFT阵列基板长寸测量设备中最为核心的技术单元之一,其定位精度将直接决定最终长寸测量设备的测量精度。在运动过程中由于运动导轨加工和装配误差会使工件台产生运动误差,而这些运动误差会影响TFT阵列基板长寸测量精度。为解决上述工件台运动误差对长寸测量精度的影响,文中基于桥式结构的长寸测量设备研究分析了工件台运动误差对长寸测量精度的影响机理,设计了一种共光路多自由度激光干涉仪测量系统,给出了激光干涉仪测量系统光束结构布局及测量补偿方案。通过搭建测试平台,基于4.5代基板对比测试了工件台运动误差补偿前后的重复性及最终长寸测量重复性。试验结果表明,研究的工件台运动误差测量及补偿技术可以满足100 nm高精度运动台定位精度技术需求。

摘要：镁基金属材料具有生物可降解性、优异的生物活性和一定抑制细菌能力。本文在超声微弧氧化电解液添加Ag NO3,获得载银生物涂层,不仅可以缓解镁基材料降解过快,而且可以预防植入前期的感染问题。本实验在电解液中添加0.03 g/L、0.05 g/L、0.08 g/L的Ag NO3为实验组,在纯镁表面制备含Ag量不同的涂层与大肠杆菌和金黄色葡萄球菌共同培养,检测抗菌性。结果表明:不添加银的微弧氧化涂层没有抗菌性,当电解液中Ag NO3添加量为0.03 g/L时获得的涂层有抗菌作用,当Ag NO3添加量超过0.05 g/L,获得的涂层对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌均具有强抗菌性能。