摘要：本文设计了一款W波段功率放大器,采用发射极宽度为1μm In P DHBT工艺。该PA采用了5级共射放大电路结构,其中前两级采用的器件发射极宽度为2×1μm,后三级采用的器件发射极宽度为4×1μm,电路原理图和版图联合仿真结果表明该PA在90-98GHz频带内,增益大于12d B,94GHz时饱和输出功率达到17.9d Bm,芯片面积为1.61mm×0.98mm。目前电路正在流片制作当中。

摘要：本文设计了一款W波段单片低噪声放大器(LNA),采用100 nm In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As Ga As MHEMT(渐变组分高电子迁移率晶体管)工艺。该MMIC LNA采用4级放大电路结构,器件栅宽为2×20um,电路版图联合仿真结果表明该LNA在75-100GHz频带内,输入输出回波损耗均大于5d B,噪声系数小于5d B,增益大于17d B,带内增益平坦度小于1.5d B,W波段全频带内增益大于12d B。芯片面积为2.6mm×1.6mm。