摘要：InP/GaAsSb/InP双异质结双极晶体管(DHBT)以其独特的交错Ⅱ型能带结构,在频率特性、击穿特性和热特性等方面较传统的InP/InGaAsSHBT与InP/InGaAs/InPDHBT等显示出极大的优越性。对InP/GaAsSb/InPⅡ型DHBT技术的提出、外延层结构设计与生长、器件结构设计、器件制造工艺与优化以及国内外发展情况研究水平、发展趋势和商业化情况进行了系统的回顾和展望。指出结合垂直方向材料结构优化缩小器件尺寸和采用微空气桥隔离基极电极结构是InP/GaAsSb/InPDHBT向THz截止频率发展的最重要的技术路线。

摘要：提出了基于耗尽型InAlAs InGaAsHEMT器件的光纤通信接收机中的单电源跨阻前置放大器电路 ,并给出了设计方法与实验结果 .该前置放大器采用单电源供电 ,单端输入 ,双端差动输出 ,由两级源级跟随器 ,一级输出级以及一个反馈电阻组成 .当前置放大器工作在 2 .5Gbit s时 ,跨阻可达 62 .5dBΩ .采用 + 5V电源供电 ,功耗为 2

摘要：介绍了新型GaInNAs系低功耗异质结双极晶体管（HBT）的设计思想和最新研究进展,并展望了其在低功耗高速集成电路和长波长光电集成电路方面的应用前景。

摘要：文章介绍了铝合金地铁车体腐蚀产生的原因以及防腐工作对铝合金地铁应用的重要意义,提出了铝合金地铁车体设计结构中的典型问题,并针对性地提出了解决方法,通过相应措施的实施,有效避免或较大程度上减缓了铝合金车体腐蚀问题带来的危害。

摘要：给出了InGaAsMSM光探测器与InP基InAlAs/InGaAsHEMT两种器件单片集成实现的OEIC光接收机的设计方法与测试结果。该光接收机采用单电源供电 ,由一级放大器、两级源级跟随器和一个反馈电阻组成。当光接收机工作在 2 .5Gbit/s时 ,跨阻可达 5 3dBΩ。采用 +5V电源供电 ,功耗仅为 1 60mW ,可有效地应用在光纤通信接收系统中。

摘要：在推导和分析液压挖掘机工作装置运动轨迹和受力规律的基础上,开发了工作装置挖掘性能可视化软件,该软件可快速准确地描绘出工作装置挖掘范围,并且该软件绘制的挖掘力云图可直观描述挖掘机在某一区域的挖掘性能。为挖掘机工作装置的设计提供理论依据和实用手段,对于国内挖掘机生产厂家消化和吸收国外挖掘机产品的技术,提高国内挖掘机的设计水平,推动国内挖掘机行业的发展具有十分重要的意义。

摘要：采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZn p 型欧姆接触、AuGeNi n 型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面 InP/InGaAs 雪崩光电二极管,器件利用 InGaAs做吸收层,InP 做增益层,光敏面直径50μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42 V,在低于击穿电压2 V 左右可以得到大约10 A/W 的光响应度,在0到小于击穿电压1 V 的偏压范围内,暗电流只有1 nA 左右;器件在2.7 GHz 以下有平坦的增益。

摘要：从InP湿法腐蚀各向异性特性实验出发,利用传统的基极-发射极自对准工艺和改进的基极-发射极工艺制作了两种InP/InGaAs SHBT自对准结构,比较了两种自对准工艺对减小基极与发射极台面间距的效果,为制作高频率特性InP/InGaAs SHBT提供了工艺途径.

摘要：叙述了高速 Al Ga As/ Ga As HBT D-触发器和静态分频器的设计、制造和性能。用电流型逻辑和自对准工艺 ,D-触发器上升和下降时间都小于 80 ps,静态分频器在 0～

摘要：本文报导了光纤通信接收机中 Ga As PHEMT工艺前置放大器的设计方法与测试结果。此前置放大器采用单电源供电 ,由 1级放大器、2级源级跟随器和 1个反馈电阻组成。当前置放大器工作在 2 .5Gbit/ s时 ,跨阻可达 6 0 d BΩ。采用 +5 V电源供电 ,功耗为 110 m