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检索条件"作者=李玮鑫"
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Sub-6 GHz GaAs pHEMT高功率吸收型单刀双掷开关
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《固体电子学研究与进展》2024年 第1期44卷 39-44页
作者:陈梓雅 张志浩 周杰海 李玮鑫 章国豪广东工业大学集成电路学院广州510006 河源广工大协同创新研究院广东河源517000 
基于0.5μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)工艺,设计了一款高功率吸收型单刀双掷开关芯片。芯片采用堆叠技术和前馈电容技术来提高功率容量和线性度。通过在传统串并联结构的输出端口引入串并联阻容匹配网络,实现了芯片在导通和关...
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纽约罗切斯特市的“长椅游行”
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《公共艺术》2010年 第6期 87-92页
作者:李玮鑫 
"长椅游行"公共艺术活动是由迪克森·施瓦布(DixonSchwabl)公关公司、拿撒勒大学(Nazareth College)和"大游行"活动机构(The Big Parade,是协调公共艺术展览的一个美国组织,已经募集了200万美元资金给参与其项...
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大众梦想的现成隐喻 解读伦敦托特纳姆法院路地铁站马赛克壁画
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《上海工艺美术》2013年 第3期 62-63页
作者:李玮鑫 
爱德华多·保罗齐设计的伦敦托特纳姆法院路地铁站马赛克壁画具有拼贴,机械化的特点,自然与科技的碰撞和变质,挑衅现代消费主义。人与机器的主题是保罗齐作品的中心,超现实主义机械幻想中的复杂场景,在托特纳姆法院路地铁站的马萨...
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