摘要：为了选取基于资源、环境、效益相统一的水位调控方案,通过调节农田水位,制定了不同的排灌方案模拟冬小麦不同生育期的涝渍胁迫状况.将熵权法和TOPSIS模型有机结合,从冬小麦的高产、水资源的高效利用、减少农业面源污染3个方面选取4个指标构建冬小麦水位管理评价体系.通过熵权法确定各指标权重,运用TOPSIS模型对13种不同的水位管理方案进行计算,得到各处理的理论贴合度Si,从而评价了各水位管理方案受到涝渍胁迫的影响.根据模型计算结果得出,冬小麦在乳熟期-200 mm(3 d)(5 d-800 mm)受涝渍影响最严重,造成产量下降明显;而在分蘖期-50 mm(1 d)(5 d-200 mm)受到涝渍胁迫时,可实现冬小麦高产、节水和减排的目标.结果符合试验规律,具有一定的实践价值.

摘要：提出了一种新的低噪声低功耗电荷敏感放大器设计方案。用EDA软件Cadence进行模拟,得到了满意的仿真结果:直流开环增益为82.9 dB,f-3dB为28 kHz,相位裕度为46.9 ,低频下输出噪声频谱密度为1.5 mV/Hz2。采用标准的3 mm P阱CMOS工艺进行了流片,测试结果与模拟情况相近。

摘要：在喷灌条件下水分调控的基础上,采用田间试验研究了茶园土壤肥力指标(包括土壤氮素、土壤温度)与茶叶品质指标(包括氨基酸、茶多酚)的动态变化规律.研究结果表明,喷灌条件下茶园表层土壤总氮(TN)质量比最高,随着土层深度的增加,TN质量比呈递减趋势,喷灌处理各土层TN质量比略高于常规处理,速效氮质量比变化呈现与TN质量比变化相同趋势,对比常规处理,喷灌处理各土层土壤TN平均质量比增加3.3%~22.2%,速效氮平均质量比增加7.1%~24.7%;喷灌处理表层土壤与20 cm土层土壤温度均高于常规处理,表层土壤温度在5:00最低,比常规处理提前1 h,在14:00最高,与常规处理同步,20 cm土层土壤温度在8:00最低,比常规提前2 h,在17:00最高,比常规处理提前近2 h;此外,氨基酸质量比变化呈现出先降低后增加的趋势,茶多酚质量比变化呈现出先增加后降低的趋势,喷灌处理氨基酸、茶多酚质量比均高于常规处理,氨基酸质量比提高12.21%,茶多酚质量比提高17.03%.

摘要：噪声对RF电路设计非常关键,故需要对SiGe HBT噪声特性进行深入研究。根据器件的高频噪声模型,指出了影响SiGe HBT高频噪声参数的主要因素,论述了优化设计的具体方法;举例说明尺寸缩小使得高频噪声性能已经达到了GaAs pHEMT的水平,fT达到了375 GHz。分析了SiGe HBT低频噪声的机理和模型及其与几何尺寸的关系,指出用fC/fT表达低频噪声性能更合适;举例说明小尺寸效应使得SiGe HBT的低频噪声偏离了1/f噪声形式。

摘要：针对高损耗硅衬底,基于部分元等效电路方法和麦克斯韦电磁场理论,计入了趋肤效应、邻近效应和衬底涡流损耗对螺旋电感串联电感Ls与串联电阻Rs频率特性的制约,并通过nπ等效电路结构模拟了寄生电容的分布特性,从而建立了一种新的片上螺旋电感物理模型。通过与全波分析方法对比,验证了在20GHz范围内由该模型导出的等效电感Leff,等效电阻Reff和Q值误差均在7%以内。该模型可望用于硅基射频集成电路中螺旋电感进一步的理论探讨和优化设计。

摘要：针对源漏诱生应变Ge沟道MOSFET的应用前景,开发了一种基于离子注入与准分子激光退火的GeSn合金生长技术。X射线衍射与透射电镜测试结果表明,采用该技术可得到质量优良的GeSn单晶。材料表面平整,无位错缺陷产生,与快速热退火方式相比,晶体质量有明显提高。Sn注入剂量为8×1015cm-2的样品经退火后,其替位式Sn原子含量为1.7%,可满足应变Ge沟道MOSFET的设计要求。该技术附加工艺少,效率高,在实际生产中具有较大的参考价值。

摘要：在短沟道ＭＯＳＦＥＴ器件物理的基础上，导出了其衬底电流解析模型，并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟ＭＯＳＦＥＴ实测结果比较接近，可应用于ＶＬＳＩ／ＵＬＳＩ可靠性模拟与监测研究和亚微米ＣＭＯＳ电路设计。

摘要：文中提出了一种应用于10位逐次逼近ADC的比较器。该比较器包括预放大器、中间放大器、输出驱动级及共模电平缓冲器。整体开环设计,采用多级级联的形式以满足增益和速度的要求;采用输出失调消除技术进行失调校正;为了提高共模电平的驱动能力和缩短建立时间,采用分压电路加单位增益放大器的结构。基于3.3V电源电压、TSMC0.18μmCMOS工艺下,仿真结果表明,完全满足最高采样频率30MHz、10位精度的模数转换器要求。

摘要：目的:确定傣药竹叶兰中总黄酮物质的最佳提取工艺条件。方法:以芦丁为指标应用超声耦合丙醇-硫酸铵双水相体系提取竹叶兰中总黄酮物质,采用星点设计-响应面分析法优化提取工艺条件,考察丙醇浓度、硫酸铵用量、超声时间3个因素对竹叶兰总黄酮得率的影响。结果:竹叶兰总黄酮最佳提取条件:丙醇浓度为55%,超声时间为50 min,硫酸铵用量20%,总黄酮得率为3.53%。结论:双水相体系对竹叶兰总黄酮有较好的提取作用,工艺简单、省时、易操作、易于放大。

摘要：通过控制局部双轴压应变SiGe材料的缺陷、组分与厚度,设置了多晶Si侧壁与Si缓冲层的特别几何结构,采用固态源分子束外延MBE设备生长了适于PMOSFET器件的局部双轴压应变Si0.8Ge0.2材料。经SEM、AFM、XRD测试分析,该材料表面粗糙度达0.45nm;Si1-xGex薄膜中Ge组分x=0.188,厚度为37.8nm,与设计值较接近;穿透位错主要由侧壁界面产生,集中在窗口边缘,密度为(0.3～1.2)×103cm-2;在表面未发现十字交叉网格,且Si0.8Ge0.2衍射峰两侧干涉条纹清晰,说明Si0.8Ge0.2与Si缓冲层界面失配位错已被有效抑制。测试分析结果表明,生长的局部双轴压应变SiGe材料质量较高,可用于高性能SiGe PMOSFET的制备与工艺参考。