摘要：采用常规P阱CMOS工艺,实现了与CMOS工艺兼容的高压PMOS器件。制作的器件,其击穿电压为55 V,阈值电压0.92 V,驱动电流25 mA。对所设计的CMOS兼容高压PMOS器件的制造工艺、器件结构和测试等方面进行了阐述。该器件已成功应用于VFD平板显示系列电路。

摘要：基于TMS320F2812 DSP提出了一种用单个定时器产生8路独立的舵机控制信号的方法,简化了驱动与控制电路的设计,研制完成了一个8自由度双足步行机器人,并成功实现了机器人的稳定行走.

摘要：在集成电路设计制造水平不断提高的今天,SRAM存储器不断朝着大容量、高速度、低功耗的方向发展。文章提出了一款异步256kB(256k×1)SRAM的设计,该存储器采用了六管CMOS存储单元、锁存器型灵敏放大器、ATD电路,采用0.5μm体硅CMOS工艺,数据存取时间为12ns。

摘要：设计了一种基于"ATD+迭代法"的UART波特率发生电路。波特率发生电路中的ATD电路用于监测串行数据的变化,并在串行数据的边沿(上升沿或下降沿)输出低电平信号。波特率探测电路对ATD电路的输出信号的低电平和高电平分别进行计数,该计数值和保持寄存器中存储的最小值比较,若前者小于后者,则保存寄存器中的最小值被该计数值取代,若前者大于后者,则保存寄存器中的最小值不变。经过一段时间比较迭代,最终得到设计需要的最小值,从而通过波特率发生器正确地输出串行数据的波特率。

摘要：为了解决含有SRAM产品转线时器件参数匹配的问题,首先对晶圆制造厂提供的SPICE模型,使用BSIMPROPLUS软件提取出SRAM单元中器件的阈值、饱和电流、漏电等参数,然后使用提取出的器件参数计算出SRAM单元在不同工艺角的翻转电压、功耗、读写裕度,比较得到最优工艺角。以0.13μm技术节点[1]单端口SRAM和双端口SRAM为例,计算了SRAM单元在不同工艺角下的翻转电压、功耗、读写裕度,得出SNFP工艺角为最优工艺条件,对于1.2 V电源电压,驱动管、负载管、传输管的阈值为0.33 V时SRAM单元的功耗和读写裕度最优。

摘要：针对江西省林业有害生物防治检疫局对林业有害生物的管理和防治业务需求,阐述了基于GIS的林业有害生物预测预报系统的设计思路与具体功能,建立了一个可供省、市、县三级林业有害生物测报人员应用的软件系统,为林业有害生物预测预报提供辅助决策。