摘要：李艳秋自幼习书,曾师从西安多位名家,又在市工艺美术进修班和西安美术学院国画专业进修学习,从事书画学习、创作活动三十多年,曾获“全国兰亭书法大赛的优秀奖、国际牡丹杯书法大赛优秀奖、全国商业书法大赛一等奖、陕西省青年书法大赛二等奖、一九九五年世界华人书画大赛银牌”。

摘要：对地聚物混凝土梁纯扭性能进行了研究,以混凝土强度、纵筋配筋率和配箍率为研究参数设计并完成了6根地聚物混凝土梁和1根普通混凝土梁的纯扭试验。结果表明:当地聚物混凝土强度等级从C30提高到C70,试件开裂扭矩和极限扭矩分别提高了59.2%和12.9%,混凝土强度等级的增加显著提高了地聚物混凝土梁的开裂荷载,随着纵筋的增加和箍筋间距的减小,受扭裂缝出现的越细密,开裂后抗扭刚度越大,地聚物混凝土梁的裂缝发展和破坏模式与普通混凝土梁一致。开裂扭矩和极限扭矩值相比普通混凝土梁,分别提高了11.8%和2.93%。规范ACI 318—19的计算结果低估了地聚物混凝土梁的抗扭承载力,规范GB 50010—2010计算值与试验值吻合较好。

摘要：新工科数学类课程的教学需要将多个学科知识和技能整合在一起,形成跨学科综合性的课程,通过交叉融合和统一设计的方式来实现教学目标。文章在新工科背景下,从数据科学与大数据技术专业人才培养目标定位出发,探索数学类课程的设置、建设方案和评价措施,提出数学课程群建设方案,推动专业教学,提升人才培养质量。

摘要：极端紫外光刻 (EUVL)作为实现 10 0～ 32nm特征尺寸微细加工的优选技术 ,其光刻物镜的光学性能是实现高分辨图形制作的关键。利用光学设计软件CODEV对 6枚非球面反射镜构成的光刻物镜设计和光学性能分析 ,其分辨力可以实现 5 0nm ,曝光面积为 2 6mm× 1mm。结果表明 ,光学性能对曝光场点的依赖关系。在全曝光场中进行了光学性能分析 ,其最大畸变为 3.77nm ,最大波面差为 0 .0 31λ(均方根值 ) 。

摘要：随着极紫外(EUV)光刻物镜的设计朝着组合倍率物镜系统的方向发展,物镜系统需要同时具有大视场和高数值孔径(NA),因而产生了物镜的光线入射角及入射角范围急剧增大的问题,需要研究适用于组合倍率极紫外光刻物镜系统的膜层设计的新方法。提出了渐进优化膜层的设计方法,该方法提高了镀制膜层的物镜系统的反射率,保证了组合倍率物镜系统的成像质量。利用该方法对NA为0.6的组合倍率物镜系统进行了膜层设计,设计结果表明,含膜极紫外光刻物镜系统的平均反射率大于65%,各反射镜的反射率峰谷值均小于3.35%,反射率均匀性良好。

摘要：极紫外光刻是16～22nm光刻技术节点的候选技术之一,其投影物镜设计需在满足像质和分辨率要求的前提下,兼顾工程可实现性。在考虑加工、检测和制造约束的情况下,设计了像方数值孔径分别为0.3和0.32、曝光视场为26mm×1.5mm的极紫外光刻投影物镜。详细分析和比较了两套物镜的光学性能和可制造性。结果表明,两套物镜结合分辨率增强技术可分别满足22nm和16nm光刻技术节点的性能要求。

摘要：华夏汉字文化在数千年的延革中形成了中华民族文化独特的既实用又饱涵艺术特质的符号。它的传承和创新是当代书法、书法艺术家、工作者与学者面临研究、探讨的具有论理意义课题的新学科。书法艺术创作及创新应以传统文化艺术为基础,以民族艺术欣赏习惯为前题,以自然、生活为源泉,创作出无愧于时代文化精神的精品力作。

摘要：针对极紫外光刻照明系统光能利用率低的问题,设计了一套高光能利用率极紫外光刻波纹板照明系统。该系统中波纹板面形采用柱面镜阵列,降低了加工难度;并且根据波纹板反射光线的特性,确定了由修正型复合抛物面聚光镜与二次曲面反射镜组作为中继镜组的结构。整个系统仅采用四片反射镜且其中两片反射镜为掠入射,与传统的极紫外光刻照明系统相比,有效地提高了系统的光能利用率。对一套数值孔径0.33的极紫外光刻投影物镜,给出了与之相匹配的波纹板照明系统设计实例。仿真结果表明,系统的光能利用率可达39.7%,掩模上弧形照明区域扫描方向的积分不均匀度小于2.7%,验证了该设计的可行性和有效性。

摘要：针对45nm及以下节点光刻相关技术的研究需求,确定了实验型投影光刻物镜的结构型式及设计指标。依据像差理论在非同心小遮拦的Schwarzschild反射系统中添加折射补偿镜组来进一步减小系统的中心遮拦,扩大像方数值孔径。设计了一套小中心遮拦,数值孔径为1.20的Schwarzschild折反式投影光刻物镜。设计结果表明,该投影光刻物镜工作带宽为100pm,像方视场为50μm,线中心遮拦比为13%,光学分辨力为80nm时(6240lp/mm)的系统调制传递函数大于0.45,全视场最大畸变为6.5nm,满足了45nm深紫外(DUV)浸没光刻实验平台对投影光刻物镜的需求。

摘要：离轴照明和衰减型相移掩模作为重要的分辨力增强技术,不仅可以提高光刻的分辨力,同时还可以改善成像焦深,扩大光刻工艺窗口,实现65-32 nm分辨成像。从频谱的角度分析了离轴照明和衰减型相移掩模对成像系统交叉传递函数和像场空间频率分布的影响,研究这两种技术的物理光学本质,由此进一步优化光学成像系统设计、分辨力增强技术和确定设备使用的参量。对分辨力增强技术的频谱分析研究表明,分辨力增强技术通过调整像场频谱分布,改善了光学光刻的图形质量。对于65 nm密集图形,离轴照明和相移掩模结合后可以使成像衬比度最高达到0.948,工艺窗口在5%曝光范围内焦深达到0.51μm。