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AlGaInP红、橙、黄光高亮度LED外延材料: 收藏
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引用; 《半导体情报》2000年第6期37卷 50-54页; 作者：关兴国严振斌刘惠生路红喜李志强李艾功河北汇能电力电子有限公司河北石家庄050051; 采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。; 采用金属有机化合物汽相淀积技术生长用于高亮度发光管 (UB-L ED)的 Al Ga In P/Ga As半导体微结构材料 ,突破了材料结构设计和材料生长工艺的关键技术 ,生长出满足于 Cd级的红、橙、黄光 L ED器件的外延材料。; 来源：详细信息评论

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