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检索条件"作者=杨乃峰"
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S-三嗪衍生物的合成(Ⅱ)
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《吉林大学自然科学学报》1995年 第1期 101-103页
作者:杨乃峰 葛树生吉林大学化学系大庆油田设计院 
由三聚氯氰出发,经胺化、巯基化,合成了以S-三嗪为母体的8种衍生物。通过红外光谱、元素分析进行了结构鉴定。
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单片GaAs 3bit相位DAC的设计与实现(英文)
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《Journal of Semiconductors》2005年 第5期26卷 873-876页
作者:张有涛 夏冠群 李拂晓 高建 杨乃中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 南京电子器件研究所南京210016 
详细论述了用于数字射频存储器系统的单片超高速GaAs 3bit相位DAC的设计、制造及测试.在南京电子器件研究所标准75mm GaAs工艺线采用0. 5μm全离子注入MESFET工艺完成流片.芯片输入输出阻抗实现在片50Ω匹配.测试结果表明,其工作带宽大...
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旁栅效应对GaAs MESFET数字IC设计的影响
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《Journal of Semiconductors》2005年 第4期26卷 821-825页
作者:张有涛 夏冠群 李拂晓 高建 杨乃中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 南京电子器件研究所南京210016 
研究了不同旁栅电极结构、不同旁栅电极取向对旁栅阈值特性的影响,并研究了旁栅阈值的光敏特性.结果表明:半绝缘衬底中的电子和空穴陷阱是旁栅效应及其光敏特性的主要原因,Ti/Au/Ti布线金属做旁栅电极具有最好的旁栅阈值特性,Au/Ge/Ni/A...
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数字射频存储器用GaAs超高速3bit相位ADC的设计与实现
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《Journal of Semiconductors》2005年 第7期26卷 1424-1427页
作者:张有涛 夏冠群 李拂晓 高建 杨乃中国科学院上海微系统与信息技术研究所上海200050 南京电子器件研究所南京210016 
详细讨论、分析了用于3bit相位体制数字射频存储器(DRFM)系统的3bit相位体制ADC的设计、实现及测试.利用南京电子器件研究所标准GaAsΦ76mm全离子注入工艺,采用全耗尽非自对准MESFET器件加工实现了3bit超高速相位体制ADC.测试结果表明,...
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3D打印技术在固体氧化物燃料电池领域的研究进展
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《储能科学与技术》2021年 第6期10卷 1952-1962页
作者:郑丽娜 王文中 贾凯杰 邱少 朱浩源 于方永 孟秀霞 张津津 杨乃山东理工大学化学化工学院山东淄博255049 
3D打印又称增材制造,是通过逐层打印来制造三维对象的过程,涉及机械、计算机、数控及材料等相关技术,被广泛应用于航空航天、生物医疗、电子、能源化工等行业。本文主要介绍了几种常用3D打印技术,重点阐述了其在固体氧化物燃料电池(SOFC...
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