摘要：本文介绍了PtSi肖特基势垒IRCCD的工作原理,评述了国外硅化物肖特基势垒红外焦平面列阵的发展,重点阐述了已制成的64×64、128×128元PtSi肖特基势垒IR-ITCCD焦平面列阵的结构与设计思想。

摘要：采用注入势垒单相埋沟结构和两层多晶硅一层铝工艺技术,研制出512位高速CCD延迟线,获得了大于10 MHz的工作频率和大于50 dB的动态范围。器件电极设计为准1相两层多晶硅交迭栅结构,信道设计为埋沟结构。输入结构采用双输入栅表面势平衡注入技术,输出结构采用浮置扩散源跟随放大器技术。提出了改善转移效率、暗电流、时钟频率和动态范围的有效方法。测试结果表明,器件性能参数达到设计要求。

摘要：ＰｔＳｉ红外焦平面列阵（ＦＰＡ）的结构设计，必须有利于提高器件的性能参数。ＩＴＣＣＤ（内线转移电荷耦合器件）是迄今ＰｔＳｉＦＰＡ用得最多的读出结构，采用隔行扫描ＩＴＣＣＤ和逐行扫描ＩＴＣＣＤ结构，均做出了高性能的ＰｔＳｉＦＰＡ。但因ＩＴＣＣＤ结构的固有特点，对小象元尺寸，填充系数很难提高。而缩小象元尺寸、增大填充系数是大型凝视ＰｔＳｉＦＰＡ的发展方向和必由之路。为此，近年来国外采用了一些新的器件结构，如ＣＳＰ、ＬＡＣＡ、ＭＯＳ、ＤＳＩ、硅圆柱透镜列阵、混合式结构等。

摘要：采用双线型三相埋沟结构，设计并研制成功４０９６位线阵ＣＣＰＤ摄像器件。器件动态范围达６００：１，暗电流密度为１０ｎＡ／ｃｍ￣２。文章阐述了该器件的工作原理、结构设计和制作工艺。

摘要：设计并研制成功128×128元 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)焦平面列阵。介绍了该器件的工作原理。阐述了器件结构和设计思想,并就器件的性能参数进行了研究。

摘要：全面介绍了在室内人造光条件下 ,肖像摄影的基本布光、伦勃朗布光、光晕照明布光、蝶形布光等 ,着重探讨了为提高艺术效果 ,采用以逆光照明为基调的布光方法。

摘要：本文阐述了 PtSi 肖特基势垒红外 CCD(PtSi-SBIRCCD)的设计考虑,包括:PtSi 肖特基势垒探测器(PtSi-SBD)结构的优化,填充系数与 CCD 电荷处理容量之间的匹配,提高 CCD 电荷转移效率。

摘要：探讨已知曲线所组成的径向凸轮与直动从动件运动规律的关系及旋合式瓶盖制盖机凸轮机构的设计。

摘要：介绍了非制冷测辐射热计红外焦平面列阵器件的原理、设计、工艺、性能和应用。

摘要：本文对内、外旋轮线的形成原理和图谱进行了分析,论述了揽拌装置适用的轨迹和行星揽拌装置的设计方法,最后给出了设计实例。