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三层热壁金属有机化学气相外延流场计算机模拟: 收藏
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引用; 《真空》2019年第1期56卷 34-38页; 作者：李琳李成明杨功寿胡西多杨少延苏宁长沙(星沙)经济技术开发区毛塘工业园区湖南信息学院湖南长沙410151 中国科学院半导体研究所中国科学院半导体材料科学重点实验室北京100083 北京大学东莞光电研究院广东东莞523808 东莞理工学院电子与智能化学院广东东莞523000 材料与光电研究中心中国科学院大学北京100049 沈阳真空技术研究所有限公司辽宁沈阳110042; 本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此...; 本文对三层热壁水平流金属有机化学气相沉积(MOCVD)真空反应腔的设计以及最终流场分布都进行了理论模拟。在选择优化喷管排布基础上,在衬底托盘、衬底四周底壁,以及衬底所在区域上壁临近区域范围加热,形成局部热壁外延真空反应腔体。此外,对于真空腔体设计,顶层与底层流动速度,都进行细致研究,确保在材料生长区域的壁面,反应前驱物源气体保持在稳定且无漩涡流动状态,并使反应物主要分布在衬底位置处,有效提高反应物利用率,并避免在腔壁等处发生反应,最后进行热壁MOCVD材料生长,得到厚度分布比较均匀,x射线双晶衍射的半峰全宽(FWHM)为149.8弧度秒,表明生长出质量良好的氮化镓(GaN)薄膜单晶材料。; 来源：详细信息评论

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