摘要：针对氧化锌压敏电阻(Metal Oxide Varistor,MOV)芯片在实际工作环境中会遭受过电压作用问题,设计了暂态过电压预处理后MOV耐受冲击老化试验,研究了不同幅值工频交流暂态过电压5 s作用下MOV芯片耐冲击老化性能变化。试验结果表明:MOV芯片经暂态过电压预处理后压敏电压升高,耐8/20μs电流波冲击次数增多;暂态过电压预处理后芯片冲击过程中压敏电压呈现下降-保持-下降过程,与未经预处理芯片压敏电压变化过程有所不同。结合双肖特基势垒导电机理推论出工频交流瞬时过电压作用下,氧化锌晶界两侧势垒高度变化过程,并经过试验数据分析证明此推论的合理性。为研究暂态过电压对MOV冲击性能影响及生产厂家预老化工艺的合理性提供试验依据。

摘要：设计实验,分析了相同片径的MOV芯片通过不同电流值时瞬态热阻抗值随温度的变化关系,利用瞬态热阻抗模型研究了不同电流对MOV芯片瞬时散热能力的影响。实验结果表明,MOV芯片热熔穿过程中,MOV芯片散热能力与通过电流值有关,给出了一种研究MOV芯片热劣化的新方法。

摘要：针对氧化锌压敏电阻芯片在8/20μs电流冲击初期,芯片压敏电压变化较小,老化程度无法通过静态参数判别的问题,本文设计了工频过电压耐受下的ZnO压敏电阻冲击老化试验,研究了ZnO压敏电阻芯片不同冲击老化情况,耐受工频恒定不同幅值过电压过程和耐受阶段流经芯片内部电流Iin随时间的变化关系;结合双肖特基势垒理论和ZnO压敏电阻芯片Voronoi网格微观结构模型,分析试验结论。结果表明:耐受工频恒定相同幅值过电压,ZnO压敏电阻芯片经8/20μs电流冲击后老化程度越深其流过芯片内部电流Iin的初始值越大;且lin值随时间上升速率与初始冲击老化程度呈正比;相同老化程度ZnO压敏电阻芯片耐受过电压幅值越大,耐受时间越短,Iin的初始值越大。这些可为ZnO压敏电阻冲击老化劣化初期判别提供依据。

摘要：MOV型SPD在运行时,一些因素会使MOV启动后的电流过大,电流发热量超出MOV热容量就会使SPD失效。国家标准中热稳定实验考查的就是MOV对于这种热量累积的耐受程度。对国家标准中关于MOV(Metal Oxide Varistor)型SPD(Surge Protective Device)的热稳定性判断条件进行试验和分析,对比了直流和交流电压两种情况下的热量累积并设计试验。把直流电和交流电热累积统一到"热阻"的概念,试验表明,直流电造成的SPD发热量比交流电造成的SPD发热量大10%。

摘要：利用瞬态热阻抗模型,设计实验研究MOV芯片通过直流电时散热能力的变化特征,结果表明,在通过直流电时,MOV芯片的内部晶体势垒高度并不是直接下降的,存在一个"转折温度",这个温度是势垒高度改变的转折点,低于此温度,势垒高度上升,高于此温度,才是单调下降的。根据此原理,可用直流电对MOV芯片进行合适时间的"预老化",以增强其初始散热能力。

摘要：针对企业自动化生产线的远程监控问题,提出一种安装相对方便的电力载波通讯系统,实现对多电机的远程监控。控制系统由ARM控制器、PLC、电力线载波通讯网络组成,用户可通过电力线载波通讯系统远程控制电机的运转,避免布设复杂的通讯线路,实现多电机远程监控。

摘要：利用人工雷暴日资料、闪电定位资料,分析了建筑物防雷类别对高度的敏感性差异。首先通过对比新、旧《建筑物防雷设计规范》在计算建筑物防雷类别时的不同,发现新规范比旧规范对高度的敏感性更高。对比了人工雷暴日资料和闪电定位资料随距离变化的相关性,得出只有在观测站20 km范围内的项目使用规范公式才较准确。通过对具体建筑防雷类别的计算,可以看出使用规范公式和闪电定位数据计算的结果差异较大,闪电定位资料更为合理。

摘要：位于四川成都高新西区的电子科技大学实验中学附属小学,是一所以“儿童第一”为教育思想,以“纯美教育”为办学特色,以“为纯美的童年而教有”为教育理想,以融合美育整体推进的高品质学校。学校先后获得全国青少年校园足球特色学校、四川省绿色学校、四川省卫生单位、四川省美育协同基地校、四川省德育协同基地校、成都市新优质学校、成都市艺术教育特色学校、成都高新区美育实践基地等称号。