摘要：建立的RTD SPICE模型,与实际制作的GaAs基RTD器件进行了拟合验证.对四值量化器电路的工作原理进行了解释说明,通过器件参数的提取,对电路进行了模拟仿真,确定了电路相关参数.通过公式计算得出的电路阈值电压与模拟结果一致.最后对电路最大的工作频率进行了分析.

摘要：A novel edge-triggered D-flip-flop based on a resonant tunneling diode （RTD） is proposed and used to construct a binary frequency divider. The design is discussed in detail and the performance of the circuit is verified using SPICE. Relying on the nonlinear characteristics of RTD,we reduced the number of components used in our DFF circuit to only half of that required using conventional CMOS SCFL technology.

摘要：纳米电子器件RTD与CMOS电路结合,这种新型电路不仅保持了CMOS动态电路的所有优点,而且在工作速度、功耗、集成度以及电路噪声免疫性方面都得到了不同程度的改善和提高。文中对数字电路中比较典型的可编程逻辑门、全加器电路进行了设计与模拟,并在此基础上对4×4阵列纳米流水线乘法器进行了结构设计。同时讨论了在目前硅基RTD器件较低的PVCR值情况下实现相应电路的可行性。

摘要：介绍了独立开发的小型超市数据仓库系统ＳＭＤＷＶ１．０的主要功能、用户界面及设计开发中遇到的特殊困难和相应解决方法。

摘要：点彩蜡染,不需图案设计,仅在织物表面点上大小匀称的蜡点,自然龟裂,通过染色使织物上出现点状色彩和冰纹。真丝双绉点彩蜡染,点蜡方法、蜡笔选用和采用低温活性染料对丝绸蜡染的手工染色工艺。

摘要：A Geiger mode planar InGaAs/InP avalanche photodiode （APD） with a cascade peripheral junction structure to suppress edge breakdowns is designed by finite-element analysis. The photodiode breakdown voltage is reduced to 54.3V by controlling the central junction depth, while the electric field distribution along the device central axis is controlled by adjusting doping level and thickness of the lnP field control layer. Using a cascade junction structure at the periphery of the active area, premature edge breakdowns are effectively suppressed. The simulations show that the quadra-cascade structure is a good trade-off between suppression performance and fabrication complexity, with a reduced peak electric field of 5.2 × 10^5 kV/cm and a maximum hole ionization integral of 1. 201. Work presented in this paper provides an effective way to design high performance photon counting InGaAs/InP avalanche photodiodes.

摘要：设计了一种InGaAs/InAlAs雪崩光电二极管(APD),并利用MEDICI软件进行了模拟仿真。器件采用背入射探测方式。雪崩增益区采用埋层设计,省略了保护环等结构;并使用双层掺杂,有效降低了增益区电场的梯度变化。由于结构简单,因此仅需要利用分子束外延(MBE)生长精确控制每层结构即可。由于InAlAs材料的空穴与电子的离化率有较大的差异,因此器件具有较低的噪声因子。

摘要：在一个特殊设计的三垒双阱异质结构中 ,注入到入射端量子阱中的电子 ,首先经过子带间弛豫填充到较低能级 ,紧接着通过共振隧穿逃逸出后面的双势垒结构 ,流入收集电极 ,完成了整个输运过程。通过比较带间光荧光谱中E2 HH1 与E1 HH1 两峰的强度 ,我们发现外加垂直磁场可以抑制子带间的LO声子和LA声子散射 ,使能量较高的子带上出现了明显的非热平衡占据。这一发现提供了一种新的控制子带间散射速率 (量子级联激光器的主要机制 )的有效方法 ,使得在量子阱子带间实现粒子数反转变得更加容易。

摘要：商树春自名画室'大树临风堂'。吉林省梨树县人。先后就读于吉林艺术学院,中央美术学院研究生课程班,吉林大学艺术学院。2004年8月油画《走在路上》入选'庆祝建国55周年吉林省美展',获三等奖,同时被选送'第十届全国美展'。2005年7月,速写《一个葬礼的记录》入选'吉林省首届素描展',获优秀奖。2005年8月,国画《乡亲》入选'纪念抗日战争六十周年吉林省美展',并于2007年编入《首届中国美术教师艺术作品年度奖获奖作品集》。2006年5月,油画《垓下》获'长春市第二届书法美术作品展'金奖。2006年12月,长春电视台《书画艺术本周刊》'艺纳百川'——商树春绘画专题'。2007年10月,吉林电视台'警营中的艺术家——商树春'专题节目录制。2009年,绘画作品十五幅发表于《中国美术》第二期。2011年,国画《荣誉、功勋》入选公安部'卫士之光——美术书法作品展',获二等奖。2013年,国画《南门立木图》入选公安部'全国书画名家精品展'。2013年,《商树春绘画作品集》出版。2013年,国画《秋山煮茶待客图》入选'第十届全国法制宣传暨廉政建设摄影大赛',获优秀奖。2015年,举办'水墨同源——北京宋庄中国画名家邀请展'。

摘要：报道了光存储效应在一种特殊设计的光存储单元Ⅰ Ⅴ特性上的响应 .当单元偏置在光存储模式下 ,越过禁带的光激发会产生一个台阶状的电流阶跃 .利用瞬态光电流测试装置测量电流阶跃处的瞬态响应 ,验证了“开关”光电流下降沿主要反映了光照消失后原先被存储起来的电子、空穴的衰变过程 .其时间常数是光存储时间的一种度量 ,而光照下所出现的台阶状电流阶跃则是光子存储效应在Ⅰ