摘要：目前大部分移动设备均使用MIPI接口,主要是MIPI接口可以实现高速数据传输,同时不会造成功耗的损失过大的功能;为了理解MIPI接口的工作原理,通过对MIPI接口中物理层的设计和研究;阐述MIPI接口实现低功耗模式和高速传输数据模式的本质原理;对MIPI接口物理层的设计,采用40nm的CMOS工艺,实现以500 MHz的速率来传输数据,功耗损失仅在0.74mW左右。

摘要：针对低能电子(电子能量为300~1500 eV)轰击引起氧化铝钝化层BCMOS(Back-thinned Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,BCMOS)图像传感器暗电流增加问题,设计了电子轰击BCMOS图像传感器实验,经统计发现,对于厚度为10 nm的氧化铝钝化层BCMOS图像传感器,轰击能量大于600 eV时暗电流增加速率明显;轰击电子能量不超过1.5 keV时,暗电流存在最大值,约为12000 e-/pixel/s;电子轰击后的BCMOS图像传感器在电子干燥柜中静置时,其暗电流呈指数趋势下降。通过分析指出入射电子引起氧化铝钝化层与硅界面处缺陷态增加,是引起上述现象的主要原因。