摘要：本文根据卫星对供电电源的需求,设计了一款-70℃~+150℃超宽工作温度范围的抗辐射POL电源。首先,根据电源指标要求进行电路拓扑结构设计,其次对电路中的主要元器件参数进行分析计算,并根据计算所得参数值和电源工作特性对元器件进行合理选型,然后对150℃高温和-70℃低温混合集成工艺设计难点进行研究攻关,最后通过saber软件仿真和样件测试结果验证了超宽工作温度抗辐射POL电源设计的合理性。

摘要：针对卫星装备的小型化、整机系统的轻量化需求,提出一种4.5~16 V宽电压输入双通道输出抗辐射POL电源设计方案。首先,根据电源指标要求进行电路拓扑结构设计;其次,提出了抗辐射指标的解决方案;最后,对工艺设计难点进行研究攻关。经仿真和样机验证,所设计的电源具有体积小、重量轻、功率密度高等优点,可为宇航用电子装备系统提供小型化、轻量化的三次电源解决方案。

摘要：针对卫星装备的小型化、整机系统的轻量化需求,提出一种基于顶部热沉的抗辐射POL电源设计方案,重点讨论了电路设计、结构设计、工艺设计。通过仿真分析、样品测试及评估试验,验证该设计的合理性。基于该方案设计的样品在体积、功率密度、重量等方面优势明显,可为宇航用高可靠、高性能电子装备系统提供微型化、轻量化的三次电源解决方案。

摘要：介绍了一种基于顶部热沉的混合集成电源结构设计,该电源结构的载体为ALN陶瓷基板,内部采用多层布线结构,功率芯片植球后倒扣焊到陶瓷基板的焊盘上,无源器件采用高温焊料焊接在陶瓷基板焊盘上,顶部的热沉通过有机胶与陶瓷基板的边缘粘接,热沉和芯片背面、电感顶部之间采用导热胶填充,以提高芯片和电感的散热效果。该结构在抗辐射负载点电源中应用,验证了该方案的可行性。

摘要：传统的两端直流控制保护系统(简称"直流控保")与安全稳定控制系统(简称"稳控系统")的接口设计不能适用于多端混合直流工程。结合昆柳龙直流工程的应用实际,对多端混合直流控保和稳控系统的接口方式、数据传输和功能逻辑进行了重新设计,提出了一套直流控保和稳控系统接口时序配合和功率损失量计算的方法,实现方法简单,计算结果准确,能够大幅度简化稳控系统的相关计算逻辑。为了验证该接口设计的有效性,基于RTDS系统构建了实际直流控保和稳控系统组成的闭环实时仿真系统,对二者接口的关键技术细节和典型运行工况进行了详细仿真验证,提出了具体的优化改进措施。仿真研究结果表明该接口方案能够适应多端混合直流的复杂运行工况,应用该接口设计的昆柳龙直流工程已在现场投入运行。

摘要：为解决敞开式焙烧炉传统排烟架压损大,压力分布不均的问题,通过开发新型排烟架,对排烟架的结构进行优化,保证排烟架内流场的均匀性,保证边火道的负压水平,从而降低排烟架压损。通过对新型排烟架的结构强度进行核验并对排烟架设备进行轻量化优化设计,做到了降低排烟架重量。生产实践采用新的排烟架技术,总管压力由-1200 Pa左右降低至-800 Pa左右,实现了节能降耗、提质增效目的。

摘要：随着科学技术的不断进步和经济的快速发展,人类对自然资源的需求量越来越大,在开发利用自然资源的同时,大量的有机污染物也随之进入自然环境.这些物质不仅污染环境、破坏生态,更对人类的生活和健康带来了巨大的威胁.研究证实,半导体光催化剂在光照条件下可以破坏有机污染物的分子结构,最终将其氧化降解成CO2、H2O或其它不会对环境产生二次污染的小分子,从而净化水质.近年来,有关光催化降解有机污染物的报道日益增多.Zn O作为一种广泛研究的光催化降解材料,因其无毒、低成本和高效等特点而具有一定的应用前景.但是Zn O较大的禁带宽度(3.24 e V)导致其只能吸收紫外光部分,而对可见光的吸收效率很小,极大地制约了其实际应用.除此之外,Zn O受光激发产生的电子-空穴分离效率较低、光催化过程中的光腐蚀严重也是制约其实际应用的重要因素.为了提高Zn O的光催化活性和稳定性,本文合成了用g-C3N4修饰的氧空位型Zn O(g-C3N4/Vo-Zn O)复合催化剂,在有效调控Zn O半导体能带结构的同时,通过负载一定量的g-C3N4以降低光生电子-空穴对的复合速率和反应过程中Zn O的光腐蚀,增强催化剂的光催化活性和稳定性.本文首先合成前驱体Zn(OH)F,然后焙烧三聚氰胺和Zn(OH)F的混合物得到g-C3N4/Vo-Zn O复合催化剂,并采用电子顺磁共振波谱(EPR)、紫外-可见光谱(UV-vis)、高分辨透射电镜(HRTEM)和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)等表征了它们的结构及其性质.EPR结果表明,Zn O焙烧后具有一定浓度的氧空位,导致其禁带宽度由3.24 e V降至3.09 e V,因而提高了Zn O对可见光的吸收效率.UV-vis结果显示,Vo-Zn O复合g-C3N4后对可见光的吸收显著增强.HRTEM和FT-IR结果均表明,g-C3N4纳米片和Vo-ZnO颗粒之间通过共价键形成了强耦合,这对g-C3N4/Vo-Zn O复合催化剂中光生载流子的传送和光生电子-空穴对的有效分离起到重要作用.可见光催化降解甲基橙(MO)和腐殖酸(HA)的实验进一步证明,g-C3N4/Vo-ZnO复合材料具有较好的光催化活性,优于单一的g-C3N4或Vo-Zn O材料.同时还发现,g-C3N4的负载量对光催化活性有显著影响,当氮化碳的负载量为1 wt%时,所制材料具有最高的光催化活性:可见光照射60 min后,MO降解率可达到93%,HA降解率为80%.复合材料光催化活性的增强一方面是因为氧空位的形成减小了Zn O的禁带宽度,使得Zn O对可见光的吸收能力大大增强;另一方面,g-C3N4和Vo-Zn O的能带符合了Z型催化机理所需的有效能带匹配,使得光生电子-空穴对得到了有效的分离,从而提高了光催化活性.降解MO的循环实验表明,g-C3N4/Vo-Zn O催化剂具有很好的稳定性且不容易发生光腐蚀.与此同时,我们对比了用不同方法制备的g-C3N4/Zn O材料的催化性能.结果显示,本文制备的g-C3N4/Vo-Zn O复合材料具有更好的降解效率.总体而言,对于降解有机污染物,g-C3N4/Vo-Zn O可能是一个更为有效可行的催化体系.此外,本文也为设计与制备其他新型光催化剂提供了一条新的思路.