摘要：1前言2000年是我国入世谈判最关键的一年,也是我国汽车技术法规史上发生重大变化的一年.2000年10月10日我国正式加入,标志着中国今后也必须遵守世界性的汽车技术法规.2000年我国汽车行业从年初对汽车产品实施40项强制性检验项目开始,到年中发布34项设计规则,接着下半年又配合国家环保局采取了加严汽车污染物排放标准等重要举措,为我国今后遵守全球性的汽车技术法规、实施国际通行的汽车产品型式认证制度管理打下了坚实的基础.为此有必要对2000年度出现的重要汽车技术法规事件,作一回顾和剖析.

摘要：一、机动车新产品过渡管理办法出台代替国家经贸委以[国经贸厅产业(2001)68号]文规定,自2001年3月22日起,采用方式对车辆产品进行管理.并以[产业(2001)098号]文,对受理车辆申报工作和车辆的检测项目(俗称"强检项目")作出了具体规定.突出了汽车强制性标准(WTO已承认,中国强制性标准为技术法规)是产品准入的必备条件.规定的汽车强检项目,比2000年的40项增加了3项,共43项.在这43项强检项目中,涉及乘用车的强制性国家标准有36项(其中有可对应的设计规则24项)、无对应强制性国家标准的设计规则2项,还有一个管理规则和3个相关文件.

摘要：2000年是我国汽车技术法规发生重大变化的一年.从增加汽车产品强制性检验项目,发布34项设计规划,加严汽车污染物排放标准,以及我国正式加入等一系列重要举措,为我国今后实施汽车产品型式认证制度,打下了坚实的基础.本文以M1类车为例,对上述内容作一介绍和剖析.

摘要：2000年是我国入世谈判最关键的一年，也是我国汽车技术法规史上发生重大变化的一年。2000年10月10日我国正式加入《全球汽车技术法规协定书》，标志着中国今后也必须遵守世界性的汽车技术法规。2000年我国汽车行业，年初对汽车产品实施40项强制性检验项目，年中发布34项设计规则，下半年又配合国家环保局采取了加严汽车污染物排放标准等一系列开展汽车技术法规工作的重要举措。从而为我国今后遵守全球性的汽车技术法规、实施国际通行的汽车产品型式认证制度管理打下了坚实的基础。为此有必要对2000年度发生的重要汽车技术法规事件，作一回顾和剖析。

摘要：20 0 0年是我国汽车技术法规史上发生重大变化的一年。从增加汽车产品的强制性检验项目、发布 39项设计规则、加严汽车污染物排放标准到我国正式加入《全球汽车技术法规协定书》 ,这些都是汽车行业值得回忆的重要事件。本文以M 1类车为例 ,对上述内容作一介绍和剖析 ,并结合工作实践谈一点个人体会。愿本文能给各位同仁在执行现行中国汽车技术法规及理解国家“入世”对策时 ,有一点启迪。

摘要：《汽车产品零部件编号规则》直接关联设计图样、产品明细表等技术文件的编制,直接涉及制造的各个环节和生产管理、技术管理的方式。因此,贯彻新标准,势必要改变企业原有的编号方法,似“牵一发而动全身”一般,其阻力和难度是不言而喻的。而运用综合标准化方法来组织此类标准的实施,往往能取得满意的效果。本文从对象的选择和目标确定,执行中应掌握的几个原则以及标准实施监督等方面介绍了综合标准化的应用情况。

摘要：目的：建立幽门螺杆菌（ＨＰ）细胞空泡毒素（ＶＣ）的聚合酶链反应（ＰＣＲ）检测方法。方法：根据ＨＰＶＣ基因图谱，设计了两对顺序特异性引物，分别扩增包括信号肽顺序（４０６－１５１６）和不含此顺序（８１１－１５１６）的基因片段。对１４株经形态学和生化鉴定证实为ＨＰ的菌株提取其基因组ＤＮＡ，以上述引物进行ＰＣＲ。结果：已知ＶＣ阳性的ＨＰ标准株（ＮＣＴＣ１１６３８）、临床分离株ＮＺ７、ＮＺ８、ＨＰ２３、ＨＰ３５、ＨＰ５７、ＨＰ６５、ＨＰ６６、ＨＰ６７和ＨＰ７０共１０株为ＶＣ阳性。扩增产物中均检出ＶＣ特异的１１００ｂｐ、７０５ｂｐ、５４３ｂｐ片段，敏感性约为０．６ｎｇ基因组ＤＮＡ。结论：所设计的引物和ＰＣＲ检测方法正确，可应用于临床检测。

摘要：设计了一种基于异步时序的两级Pipelined-SAR模数转换器。为实现时序灵活配置,采用一种基于边沿检测的自同步环路来产生频率和相位均可变的内部时钟;为降低整个ADC静态功耗,可调节延迟单元用于合理分配子ADC和增益级的工作时间;三级电荷泵用于设计增益级,从而降低设计难度并进一步降低功耗。最终,该14 bit异步时序ADC在0.18μm CMOS工艺下设计并仿真。后仿真结果表明,在采样速率为10 kS/s时,该ADC的SNDR为83.5 dB,功耗为2.39μW,FoM_(s)值为176.7 dB。

摘要：当前陶瓷行业,从研发、销售、生产、供应链、服务等环节,在经营过程中通过纸制化的形式收集了大量的数据,但就整个企业运营来说,数据的价值远远没发挥出来,如何建立具备建陶行业特性的数据化运营平台,帮助企业用数据指导运营决策,实现管理、思维模式、技术能力的变革,是现代陶瓷企业的战略发展的重要组成部分。

摘要：介绍了一种采用0.18μm CMOS工艺制作的上电复位电路。为了满足低电源电压的设计要求,采用低阈值电压(约0V)NMOS管和设计的电路结构,获得了合适的复位电压点;利用反馈结构加速充电,提高了复位信号的陡峭度;利用施密特触发器,增加了电路的迟滞效果。电路全部采用MOS管设计,大大缩小了版图面积。该上电复位电路用于一种数模混合信号芯片,采用0.18μm CMOS工艺进行流片。芯片样品电路测试表明,该上电复位电路工作状态正常。