摘要：硅基微显示(Micro-OLED)工艺中,在进行驱动线路制备时,需进行化学机械研磨(CMP)处理,保证金属互联层的稳定性及均一性。不同材料对CMP工艺的耐受性存在差别,切割道或净空区通常为介电材料层(SiO、SiNx等绝缘层),较金属膜层区域更易受CMP磨损,经过多次CMP制程后段差累积加深。在进行Spin涂胶工艺时,段差区偏大(>1μm)会引起涂胶、显影后的关键尺寸(CD)差异过大,造成斜纹Mura显示不良。验证发现,调试不同曝光能量与CD均一性无明显相关性;Spin涂胶转速调整对显影后CD均一性有一定改善,但效果有限,无法完全改善。胶厚0.8~2.5μm验证中,当Spin涂覆胶厚大于2.0μm时,能有效减弱涂胶过程的飞溅效应,斜纹Mura的发生率降低到0%。作为根本防止措施,可在切割道或Dummy区域设计与CMP当层相同的Dummy Pattern,提升CMP工艺制程均一性,从而确保斜纹Mura发生率小于0%。