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电极间距对BeMgZnO薄膜光电探测器性能的影响: 收藏
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引用; 《湖北大学学报（自然科学版）》2020年第3期42卷 253-258页; 作者：裴卫杰杨蓉慧子陈剑张腾汪洋黎明锴卢寅梅何云斌湖北大学材料科学与工程学院湖北武汉430062; 通过脉冲激光沉积的方法在c面蓝宝石衬底上制备Be和Mg共掺的BeMgZnO四元合金薄膜.表征测试结果表明,所得薄膜为沿c轴外延生长、具有纤锌矿结构的高质量薄膜,其具有比纯ZnO明显更大的带隙(4.3 eV).在此薄膜表面分别蒸镀间距为10μm和100...; 通过脉冲激光沉积的方法在c面蓝宝石衬底上制备Be和Mg共掺的BeMgZnO四元合金薄膜.表征测试结果表明,所得薄膜为沿c轴外延生长、具有纤锌矿结构的高质量薄膜,其具有比纯ZnO明显更大的带隙(4.3 eV).在此薄膜表面分别蒸镀间距为10μm和100μm的平行Au电极,得到电极间距不同的两种BeMgZnO基光电探测器.通过I-V,I-t测试,系统研究电极间距对光电探测器性能的影响,结果表明:当BeMgZnO光电探测器的电极间距较小时(10μm),其暗电流更大,光电流更小,响应速度更快.这些信息可为高性能光电探测器的设计提供有益参考.; 来源：详细信息评论

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