摘要：设计和验证了三种低电压触发的SCR结构ESD保护电路,采用上华0.5μmCMOS工艺流片,测试表明,所有的器件都具有低电压触发特性,在器件宽度只有50μm的条件下,能达到400V正向机器模式的ESD性能。实验中发现了意外失效情况,文章给出了分析。

摘要：SCR器件作为目前单位面积效率最高的ESD保护器件,被广泛研究并应用到实际电路中。SCR所具有的低保持电压特性可以带来很高的ESD性能,但同时也会导致闩锁。文章从提高保持电压和触发电流这两方面入手,研究在实际电路应用中如何防止ESD保护电路发生闩锁。

摘要：随着集成电路特征尺寸的减小,集成电路对ESD的要求越来越高,同时集成电路面积和引脚数量的增加,使得全芯片的ESD保护成为挑战。SCR器件相对于其他器件,具有相同面积下最高的ESD保护性能。文章以SCR保护器件为基础,介绍一种新型的ESD保护架构——ESD总线。从全模式和混合电压芯片的ESD保护出发,进而提出了全芯片ESD保护结构,针对现代集成电路芯片引脚不断增多的特点,以及系统集成带来的多电压模式问题,提出了使用ESD总线结构的保护方案来实现全芯片的ESD保护。