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适用于无引线封装的SOI压力敏感芯片总体结构: 收藏
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引用; 《中国测试》2020年第12期46卷 54-59页; 作者：李村杨鑫婉赵玉龙程鑫田雷西安交通大学机械工程学院陕西西安710049 中国电子科技集团公司第四十九研究所黑龙江哈尔滨100048; 无引线封装技术能够将采用SOI技术的MEMS压力传感器的工作温度提高到300℃以上,解决传统充油封装无法耐受高温的问题,然而,无引线封装亦对SOI压力敏感芯片结构提出新的挑战。为应对此问题,该文提出适用于无引线封装的压力敏感芯片总体结...; 无引线封装技术能够将采用SOI技术的MEMS压力传感器的工作温度提高到300℃以上,解决传统充油封装无法耐受高温的问题,然而,无引线封装亦对SOI压力敏感芯片结构提出新的挑战。为应对此问题,该文提出适用于无引线封装的压力敏感芯片总体结构,主要研究压敏电阻掺杂浓度选择、重掺杂引线盘和金属点电极、键合玻璃结构、硅玻键合静电密封环等内容。通过大面积重掺杂的引线盘及金属点电极的设计解决硅-玻璃在电路器件层的静电键合问题。在键合玻璃上设计通孔,其位置对应金属点电极,解决电极厚度对键合的影响问题,同时实现欧姆接触。设计静电密封环结构,解决压力敏感膜片及测量电路的密封问题。最后,研制适用于无引线封装的SOI压力敏感芯片样片,证明该文压力敏感芯片总体结构有效。; 来源：详细信息评论

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