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一种高性能BiCMOS带隙基准电压源设计: 收藏
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引用; 《仪表技术》2009年第3期 66-68页; 作者：汪西川杭贵周上海大学机电工程与自动化学院上海200072 上海大学微电子研究与开发中心上海200072; 文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上,介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路。该电路的实现是基于0.6μm、5V的BiCMOS工艺。仿真结果表明,该基准电路稳定工作电源电压范围为1.9V^6.4V,在低频下...; 文章在对带隙基准基本原理与电路结构分析基础上,介绍了一种高精度、低功耗、高电源抑制比的BiCMOS带隙基准电压源电路。该电路的实现是基于0.6μm、5V的BiCMOS工艺。仿真结果表明,该基准电路稳定工作电源电压范围为1.9V^6.4V,在低频下的电源抑制比可达到-88dB,温度变化范围从-25℃至150℃时,温度系数为9.73×10-6,输出电压误差为1.72mV。; 来源：详细信息评论

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