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检索条件"作者=林世鸣"
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光学多层介质膜与多量子阱集成器件
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《Journal of Semiconductors》1990年 第4期11卷 288-293页
作者:林世鸣中国科学院半导体研究所 
本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并...
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MSM光探测器的等效电路模型
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《光电子.激光》2001年 第6期12卷 552-555页
作者:武术 林世鸣 刘文楷中国科学院半导体研究所集成光电子国家重点实验室北京100083 
本文详细介绍了一套完整的 In Ga As MSM光探测器的等效电路模型。模型包括暗电流、直流、交流、瞬态和噪声等特性的等效电路模型。每一部分均从经典的物理模型出发 ,结合实际情况设计构造 ,并将理论曲线与试验数据进行了比较 ,结果是...
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低阈值红光垂直腔面发射激光器
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《高技术通讯》1999年 第7期9卷 17-19页
作者:林世鸣 程澎 康学军 马晓宇 高俊华 刘士安 张光斌 曹青 朱家廉 王红杰 罗丽萍中科院半导体所集成光电子国家重点实验室 
研究了红光垂直腔面发射激光器的结构设计、外延生长及器件制作,实现了室温连续激射,其最低阈值电流达到0.25mA。
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InGaAsP/InP 有源时分光子交换器件
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《高技术通讯》1998年 第1期8卷 1-4页
作者:张权生 石志文 杜云 芦秀玲 吴荣汉 林世鸣中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室 
自行设计并研制成功了两种有源时分光子交换器件:InGaAsP/InPEMPBH双稳激光器及InGaAsP/InPMQWDCPBH双稳激光器,对这两种器件的部分性能作了简要报道。
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