摘要：提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。

摘要：提出了一种双惠斯通桥差模电路的磁阻传感器电流测量新方法。本方法采用通用低成本磁阻传感器,相对于目前主流的电流检测技术具有抗干扰能力强、可靠、易于实现二次封装与板级应用、性价比高、测量范围广、温度漂移低的优点。本文详细介绍了系统的设计思想与结构,分析了系统工作原理,并通过实验数据验证了该方法的可靠性和稳定性。

摘要：通过模拟的方法,研究了n型4H-SiC材料中Al离子注入深度、浓度分布与注入角度、缓冲层厚度、注入能量和剂量的关系。通过不同能量和剂量的组合进行了常温注入实验,注入深度为500 nm,注入浓度均匀分布。注入完成后,以SiC上下夹片的保护方式对SiC样品在1 650和1 750℃两种退火温度下进行激活。研究温度对激活效果的影响,观察注入条件和退火保护方式对SiC样品表面粗糙度的影响。激活完成后,在SiC样品上生长了一层Ni,并进行退火,研究激活浓度对Ni与Al注入形成的p-SiC欧姆接触的影响。实验中用喇曼谱表征注入损伤,用原子力显微镜(AFM)监测退火后表面粗糙度,用霍尔测试表征激活效果。实验结果表明,以4°偏角掠射,用100 nm SiO_2作为缓冲层进行注入,以1 750℃用SiC上下夹片保护进行退火,可以得到表面粗糙度为0.862 nm、激活浓度为4.25×1019 cm^(-3)的p-SiC样品。该方法可用于指导pin二极管、JBS、MOSFET、JFET和BJT等器件的设计。

摘要：提出了一种并联体声波谐振器(BAWR)与Ga_(2)O_(3)基MSM紫外传感器的新型高灵敏度传感器结构,即体声波谐振式日盲紫外光传感器(BAWR-UV Sensor)。设计并制备了MSM Ga_(2)O_(3)紫外传感器和BAWR传感器,将实测的光、暗S参数在仿真软件中封装为S1P数据模型代替MSM等效电路,用MBVD模型代替BAWR等效电路,通过并联两种结构建立了BAWR-UV仿真模型;采用ADS软件仿真了BAWR核心参数对BAWR-UV传感器灵敏度的影响,研究了提高灵敏度的设计方案。仿真结果表明,在0.5~4.5 GHz频率范围内,BAWR-UV的并联Q值越大,阻抗灵敏度越高,同时阻抗灵敏度随频率降低而增大,在并联谐振频率f_(p)=0.533 GHz时获得最佳阻抗灵敏度为100 kΩ/(μW/mm^(2));频率灵敏度随频率的升高而增大,在f_(p)=4.5 GHz时获得最佳频率灵敏度为1.4 MHz/(μW/mm^(2))。最后,开展了高灵敏度日盲紫外传感器的探索。