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四结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge的设计与模拟: 收藏
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引用; 《功能材料与器件学报》2011年第6期17卷 559-563页; 作者：张国芳唐吉玉陈俊芳周福成林邦惜廖建军华南师范大学物理与电信工程学院广州510006; 随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs(InGaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究。四元化合物材料Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)N_y通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev-1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实...; 随着多结太阳能电池技术的发展,追求更高效率的四结太阳能电池结构InGaP/GaAs(InGaAs)/(新材料)/Ge受到广泛的研究。四元化合物材料Ga_(1-x)In_xAs_(1-y)N_y通过控制其组分比例,其禁带宽度可以调整为0.95ev-1.05ev,并且可以与GaAs,Ge实现晶格匹配,是应用于新一代太阳能电池最有潜力的新材料。在本文中我们设计了新一代多结太阳能电池InGaP/GaAs/GaInAsN/Ge,并首次应用Apsys软件对其电特性进行了模拟,与传统的InGaP/GaAs/Ge结构进行对比。结果显示,该结构可以获得较高的转换效率。; 来源：详细信息评论

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